[发明专利]承载装置及半导体工艺设备在审
| 申请号： | 202011141991.7 | 申请日： | 2020-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN112271155A | 公开（公告）日： | 2021-01-26 |
| 发明（设计）人： | 高明圆 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/673 | 分类号： | H01L21/673;H01L21/67;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 承载 装置 半导体 工艺设备 | ||
1.一种承载装置，用于设置于半导体工艺设备的工艺腔室内以承载待加工工件，其特征在于，包括：基座及匀热机构；
所述基座包括匀热盘和加热盘，所述匀热盘设置于所述加热盘上，所述加热盘用于加热所述匀热盘；
所述匀热盘具有一上表面，所述上表面用于承载所述待加工工件，并且所述上表面的指定区域内开设有凹槽；
所述匀热机构包括匀热板，所述匀热板可活动地设置于所述凹槽内，所述匀热板在所述凹槽内升降并选择性定位于多个预设位置；
所述匀热盘和所述匀热板均为导热材质，通过调整所述匀热板和所述待加工工件间的距离，以调整所述凹槽所对应区域的热传导效能。
2.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述匀热板的顶面上形成有摩擦结构，所述摩擦结构用于所述匀热板与所述待加工工件接触时,增加所述匀热板的顶面与所述待加工工件之间的摩擦力。
3.如权利要求2所述的承载装置，其特征在于，所述摩擦结构包括形成于所述匀热板顶面的多个凸部，并且多个所述凸部呈阵列分布。
4.如权利要求2或3所述的承载装置，其特征在于，所述摩擦结构具有一预设粗糙度，所述预设粗糙度为3至10微米。
5.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述基座还包括聚焦环，所述聚焦环设置于所述上表面上，用于对所述待加工工件进行限位；所述指定区域为所述聚焦环内缘在所述上表面限定的区域。
6.如权利要求5所述的承载装置，其特征在于，所述匀热盘的轴向厚度尺寸大于所述凹槽的轴向深度尺寸。
7.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述匀热板的形状与所述凹槽沿径向的截面形状相同，并且所述匀热板的外缘与所述凹槽的内周壁间隙配合。
8.如权利要求7所述的承载装置，其特征在于，所述匀热板为圆形、圆环形、矩形或者三角形。
9.如权利要求1所述的承载装置，其特征在于，所述匀热机构还包括驱动结构，所述驱动结构包括升降组件及驱动部，所述升降组件穿设于所述加热盘和所述匀热盘上，所述升降组件的顶端伸入所述凹槽内并与所述匀热板连接，底端与所述驱动部连接；所述驱动部通过驱动所述升降组件带动所述匀热板升降。
10.一种半导体工艺设备，其特征在于，包括工艺腔室、等离子源以及如权利要求1至9的任一所述的承载装置，所述等离子源和所述承载装置相对设置于所述工艺腔室内。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
