[发明专利]具有输入侧分数谐波谐振器电路的RF放大器

说明书

本发明涉及具有输入侧分数谐波谐振器电路的RF放大器。一种射频放大器包括晶体管、输入阻抗匹配电路(例如，单段式T匹配电路和多段式带通电路)以及分数谐波谐振器电路。所述输入阻抗匹配电路耦合于放大路径输入与晶体管输入端之间。所述分数谐波谐振器电路的输入耦合到所述放大路径输入，并且分数谐波谐振器电路的输出耦合到所述晶体管输入端。所述分数谐波谐振器电路被配置成以介于所述RF放大器的基本操作频率与所述基本频率的二次谐波之间的谐振频率谐振。根据另外的实施例，所述分数谐波谐振器电路以所述基本频率的分数x谐振，其中所述分数介于约1.25与约1.9之间(例如，x≈1.5)。

技术领域

本文所描述的主题的实施例总体上涉及射频(RF)放大器，并且更具体地说，涉及宽带功率放大器装置和封装装置。

背景技术

无线通信系统采用功率放大器来增大射频(RF)信号的功率。例如，在蜂窝基站中，在将放大的信号提供给天线以通过空中接口辐射之前，多尔蒂(Doherty)功率放大器可以形成传输链中的最后放大级的一部分。功率附加效率的高增益、高线性度、稳定性和高水平是这种无线通信系统中所期望的功率放大器的特性。

在功率放大器装置设计领域，实现并发多频带、宽带放大变得越来越令人期待。例如，为了在多尔蒂功率放大器电路中成功地设计用于并发多频带、宽带操作的宽带功率放大器装置，期望能够实现良好的宽带基本匹配(例如，超过20％的分数带宽)以适当地处理谐波频率交互，同时也实现宽视频带宽。然而，实现这些目标给功率放大器装置设计者不断地带来挑战。

发明内容

根据本发明的一个方面，提供一种射频(RF)放大器，包括：晶体管，所述晶体管具有晶体管输入端；输入阻抗匹配电路，所述输入阻抗匹配电路耦合于第一放大路径的第一输入与所述晶体管输入端之间；以及分数谐波谐振器电路，所述分数谐波谐振器电路具有输入和输出，其中所述分数谐波谐振器电路的所述输入耦合到所述第一放大路径的所述第一输入，其中分数谐波谐振器电路的所述输出耦合到所述晶体管输入端，并且其中所述分数谐波谐振器电路被配置成以介于所述RF放大器的基本操作频率与所述基本频率的二次谐波之间的谐振频率谐振。

根据一个或多个实施例，所述分数谐波谐振器电路以所述基本频率的分数x谐振，其中所述分数介于1.25与1.9之间。

根据一个或多个实施例，所述分数介于1.4与1.6之间。

根据一个或多个实施例，所述分数谐波谐振器电路是并联电感器/电容器(LC)电路，所述并联电感器/电容器电路包括：第一电感元件，所述第一电感元件具有电连接到所述第一输入的第一端和电连接到所述晶体管输入端的第二端；以及第一电容，所述第一电容与所述第一电感元件并联连接。

根据一个或多个实施例，所述分数谐波谐振器电路耦合于所述输入阻抗匹配电路内。

根据一个或多个实施例，所述输入阻抗匹配电路具有单段式T匹配拓扑，所述单段式T匹配拓扑包括：第一连接节点；第二连接节点；第二电容，所述第二电容耦合于所述第一连接节点与所述接地参考节点之间；以及第二电感元件，所述第二电感元件耦合于所述第二连接节点与所述晶体管输入端之间，并且其中所述分数谐波谐振器电路电耦合于所述第一连接节点与所述第二连接节点之间。

根据一个或多个实施例，RF放大器另外包括：

第三电感元件，所述第三电感元件耦合于所述第一输入与所述第一连接节点之间。

根据一个或多个实施例，所述第三电感元件包括连接于所述第一输入与所述第一连接节点之间的第一多条键合线；并且所述第二电感元件包括连接于所述第二连接节点与所述晶体管输入端之间的第二多条键合线。