[发明专利]具有输入侧分数谐波谐振器电路的RF放大器

权利要求书

1.一种射频(RF)放大器，其特征在于，包括：

晶体管，所述晶体管具有晶体管输入端；

输入阻抗匹配电路，所述输入阻抗匹配电路耦合于第一放大路径的第一输入与所述晶体管输入端之间；以及

分数谐波谐振器电路，所述分数谐波谐振器电路具有输入和输出，其中所述分数谐波谐振器电路的所述输入耦合到所述第一放大路径的所述第一输入，其中分数谐波谐振器电路的所述输出耦合到所述晶体管输入端，并且其中所述分数谐波谐振器电路被配置成以介于所述RF放大器的基本操作频率与所述基本频率的二次谐波之间的谐振频率谐振。

2.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述分数谐波谐振器电路以所述基本频率的分数x谐振，其中所述分数介于1.25与1.9之间。

3.根据权利要求2所述的RF放大器，其特征在于，所述分数介于1.4与1.6之间。

4.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述分数谐波谐振器电路是并联电感器/电容器(LC)电路，所述并联电感器/电容器电路包括：

第一电感元件，所述第一电感元件具有电连接到所述第一输入的第一端和电连接到所述晶体管输入端的第二端；以及

第一电容，所述第一电容与所述第一电感元件并联连接。

5.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述分数谐波谐振器电路耦合于所述输入阻抗匹配电路内。

6.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述输入阻抗匹配电路具有单段式T匹配拓扑，所述单段式T匹配拓扑包括：

第一连接节点；

第二连接节点；

第二电容，所述第二电容耦合于所述第一连接节点与所述接地参考节点之间；以及

第二电感元件，所述第二电感元件耦合于所述第二连接节点与所述晶体管输入端之间，并且

其中所述分数谐波谐振器电路电耦合于所述第一连接节点与所述第二连接节点之间。

7.根据权利要求6所述的RF放大器，其特征在于，另外包括：

第三电感元件，所述第三电感元件耦合于所述第一输入与所述第一连接节点之间。

8.根据权利要求7所述的RF放大器，其特征在于：

所述第三电感元件包括连接于所述第一输入与所述第一连接节点之间的第一多条键合线；并且

所述第二电感元件包括连接于所述第二连接节点与所述晶体管输入端之间的第二多条键合线。

9.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述输入阻抗匹配电路具有多段式带通拓扑，所述多段式带通拓扑包括：

第一连接节点；

第二连接节点；

第三连接节点；

第二电感元件，所述第二电感元件耦合于所述第一连接节点与接地参考节点之间；

第二电容，所述第二电容耦合于所述第一连接节点与所述第二连接节点之间；

第三电容，所述第三电容耦合于所述第二连接节点与所述接地参考节点之间；以及

第三电感元件，所述第三电感元件耦合于所述第三连接节点与所述晶体管输入端之间，并且

其中所述分数谐波谐振器电路电耦合于所述第二连接节点与所述第三连接节点之间。

10.一种封装射频(RF)放大器装置，其特征在于，包括：

装置衬底；

输入引线，所述输入引线耦合到所述装置衬底；

输出引线，所述输出引线耦合到所述装置衬底；

晶体管管芯，所述晶体管管芯耦合到所述装置衬底，其中所述晶体管管芯包括晶体管、晶体管输入端和耦合到所述输出引线的晶体管输出端；

输入阻抗匹配电路，所述输入阻抗匹配电路耦合于所述输入引线与所述晶体管输入端之间；以及

分数谐波谐振器电路，所述分数谐波谐振器电路具有输入和输出，其中所述分数谐波谐振器电路的所述输入耦合到所述输入引线，其中分数谐波谐振器电路的所述输出耦合到所述晶体管输入端，并且其中所述分数谐波谐振器电路被配置成以作为基本频率的分数x的谐振频率谐振，其中所述分数介于1.25与1.9之间。