[发明专利]吸附方法、载置台及等离子体处理装置

说明书

提供一种对吸附力的降低进行抑制的吸附方法、载置台及等离子体处理装置。该吸附方法用于在具有静电卡盘的载置台上对被吸附物进行吸附，所述被吸附物为基板或边缘环之中的至少一者，该吸附方法包括：在所述静电卡盘上放置所述被吸附物的步骤；以及向所述静电卡盘的电极，施加相位彼此不同的2相以上的n相的交流电压的步骤，其中，所述n相的交流电压基于自偏置电压施加。

技术领域

本公开涉及一种吸附方法、载置台及等离子体处理装置。

背景技术

已知一种载置台，其在对基板进行蚀刻处理等所需处理的处理装置中，对基板进行吸附。

专利文献1中公开了一种施加交流电压的静电卡盘装置，所述交流电压为n相的交流电压，其中n为2以上，该静电卡盘装置的特征在于具有：施加该n相交流电压的电极；由使各电极之间绝缘的绝缘体制成的试样台；以及施加所述n相交流电压的电路。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：(日本)特开2003-332412号公报

发明内容

本发明要解决的问题

在一个方面，本公开提供一种对吸附力的降低进行抑制的吸附方法、载置台及等离子体处理装置。

用于解决问题的手段

为了解决上述问题，根据一个实施方式，提供一种吸附方法，用于在具有静电卡盘的载置台上对被吸附物进行吸附，所述被吸附物为基板或边缘环之中的至少一者，该吸附方法包括：在所述静电卡盘上放置所述被吸附物的步骤；以及向所述静电卡盘的电极，施加相位彼此不同的2相以上的n相的交流电压的步骤，其中，所述n相的交流电压基于自偏置电压施加。

发明的效果

根据一个方面，能够提供一种对吸附力的降低进行抑制的吸附方法、载置台及等离子体处理装置。

附图说明

图1是示出根据一个实施方式的等离子体处理装置的一个示例的剖面示意图。

图2是示出静电卡盘的电极的布置的一个示例的平面图。

图3(a)是示出向电极施加的3相交流电压的一个示例的曲线图，图3(b)是示出施加3相交流电压时的吸附力的总和的一个示例的曲线图。

图4(a)是示出向电极施加的2相交流电压的一个示例的曲线图，图4(b)是示出施加2相交流电压时的吸附力的总和的一个示例的曲线图。

图5是示出施加电压和传热气体流量的一个示例的曲线图。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开的实施方式进行说明。在各附图中，针对相同的构成部分赋予相同的符号，并且有时会省略重复的说明。

[等离子体处理装置]

参照图1对根据一个实施方式的等离子体处理装置1进行说明。图1是示出根据一个实施方式的等离子体处理装置1的一个示例的剖面示意图。根据本实施方式的等离子体处理装置1是电容耦合型的平行平板基板处理装置，并且具有腔室10。腔室10例如是由表面被进行阳极氧化处理的铝制成的圆筒状的容器，并且接地。