[发明专利]吸附方法、载置台及等离子体处理装置

权利要求书

1.一种吸附方法，用于在具有静电卡盘的载置台上对被吸附物进行吸附，所述被吸附物为基板或边缘环之中的至少一者，该吸附方法包括：

在所述静电卡盘上放置所述被吸附物的步骤；以及

向所述静电卡盘的电极，施加相位彼此不同的2相以上的n相的交流电压的步骤，

其中，所述n相的交流电压基于所述被吸附物的自偏置电压施加。

2.根据权利要求1所述的吸附方法，其中，

所述n相的交流电压通过在交流分量上叠加基于所述自偏置电压的负直流电压来施加。

3.根据权利要求2所述的吸附方法，其中，

所述自偏置电压根据等离子体处理的条件来计算。

4.根据权利要求2所述的吸附方法，其中，

所述自偏置电压是对所述被吸附物的电压进行检测的电压检测部的检测值。

5.一种用于对被吸附物进行放置并吸附的载置台，所述被吸附物为基板或边缘环之中的至少一者，所述载置台包括：

基台；

静电卡盘，设置在所述基台上，并且在内部具有2极以上的n极的电极；以及

电源，向所述n极的电极施加相位彼此不同的2相以上的n相的交流电压，

其中，所述电源基于所述被吸附物的自偏置电压施加交流电压。

6.根据权利要求5所述的载置台，其中，

所述电源通过在交流分量上叠加基于所述自偏置电压的负直流电压来施加交流电压。

7.一种等离子体处理装置，包括根据权利要求5或6所述的载置台。

8.根据权利要求7所述的等离子体处理装置，还包括：

气体供给部，向所述被吸附物的背面与所述载置台的正面之间供给传热气体。