[发明专利]OLED显示面板制备方法和OLED显示面板

说明书

本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法包括：在形成阻挡层之前，制备一有机膜层作为牺牲层，图案化处理牺牲层制备得到作为挡墙成型区的第一沟槽，然后在所述牺牲层表面形成一阻挡层材料，所述阻挡层材料填充所述第一沟槽，再利用掩膜板图案化处理阻挡层制备得到高/窄的挡墙结构，同时利用湿法刻蚀工艺去除第一沟槽；通过在形成阻挡层之前形成牺牲层，形成的挡墙结构的厚度等于牺牲层的厚度加上阻挡层的厚度。

技术领域

本发明涉及OLED显示技术领域，尤其涉及一种OLED显示面板制备方法和一种OLED显示面板。

背景技术

现有的OLED显示面板制备工艺中，在形成像素定义层后，会形成一阻挡层，所述阻挡层包括多个挡墙结构，由于形成和曝光等工艺的限制，所述阻挡层的厚度难以超过3微米，而在发光层的制备中，往往需要至少4微米的挡墙结构来阻挡量子点墨水的扩散，因此，现有OLED显示面板制备方法存在难以形成高/窄的挡墙结构的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种OLED显示面板制备方法和一种OLED显示面板，可缓解现有OLED显示面板制备方法存在难以形成高/窄的挡墙结构的技术问题。

本发明实施例提供一种OLED显示面板制备方法，包括：

提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成有阵列层、像素定义层；

在所述像素定义层上，制备一有机膜层，将所述有机膜层作为牺牲层；

对所述牺牲层进行图案化处理，制备得到作为挡墙成型区的第一沟槽；

在所述牺牲层表面形成一层阻挡层材料，所述阻挡层材料填充在所述第一沟槽内，位于牺牲层表面的阻挡层材料高于所述牺牲层的高度；

利用掩膜板对所述阻挡层进行图案化处理，制备得到挡墙结构。

在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成牺牲层的步骤中,还包括：在所述像素定义层上，制备一层聚酰亚胺材料，形成一聚酰亚胺层，将所述聚酰亚胺层作为牺牲层。

在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成牺牲层的步骤中,还包括：形成的所述聚酰亚胺层厚度范围为2微米至3微米。

在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成一阻挡层的步骤中,还包括：形成的所述阻挡层的厚度范围为2微米至3微米。

在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成高/窄的挡墙结构的步骤中，还包括：在所述阻挡层上形成显影液，再对所述阻挡层进行图案化处理，去除掉挡墙结构以外区域的阻挡层。

在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成高/窄的挡墙结构的步骤中，还包括：形成所述挡墙结构的厚度范围为4微米至6微米。

在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成高/窄的挡墙结构的步骤中，还包括：形成所述挡墙结构的宽度范围为9微米至11微米。

在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成所述牺牲层之后的步骤中，还包括；在所述牺牲层上制备一有机膜层，所述有机膜层作为补偿层，所述补偿层的厚度范围为2微米至3微米。

在本发明实施例提供的OLED显示面板制备方法中，在形成所述补偿层的步骤中，还包括：所述第二沟槽的制备材料与所述第一沟槽的制备材料相同，对所述补偿层利用图案化处理制备出第二沟槽。

本发明实施例提供一种OLED显示面板，包括：衬底基板、阵列层、像素定义层、挡墙结构、发光功能层、封装层；其中，所述挡墙结构设置在所述像素定义层上，所述挡墙结构用于阻挡量子点墨水的扩散，所述挡墙结构的厚度范围为4微米至6微米。