[发明专利]OLED显示面板制备方法和OLED显示面板

权利要求书

1.一种OLED显示面板制备方法，其特征在于，包括：

提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成有阵列层、像素定义层；

在所述像素定义层上，制备一有机膜层，将所述有机膜层作为牺牲层；

对所述牺牲层进行图案化处理，制备得到作为挡墙成型区的第一沟槽；

在所述牺牲层表面形成一层阻挡层材料，所述阻挡层材料填充在所述第一沟槽内，位于牺牲层表面的阻挡层材料高于所述牺牲层的高度；

利用掩膜板对所述阻挡层材料进行图案化处理，制备得到挡墙结构。

2.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在形成牺牲层的步骤中,还包括：

在所述像素定义层上，制备一层聚酰亚胺材料，形成一聚酰亚胺层，将所述聚酰亚胺层作为牺牲层。

3.如权利要求2所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在形成牺牲层的步骤中,还包括：

形成的所述聚酰亚胺层厚度范围为2微米至3微米。

4.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在形成一阻挡层的步骤中,还包括：

形成的所述阻挡层的厚度范围为2微米至3微米。

5.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在制备得到挡墙结构的步骤中，还包括：

在所述阻挡层上形成显影液，再对所述阻挡层进行图案化处理，去除掉挡墙结构以外区域的阻挡层。

6.如权利要求5所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在制备得到挡墙结构的步骤中，还包括：

形成所述挡墙结构的厚度范围为4微米至6微米。

7.如权利要求5所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在制备得到挡墙结构的步骤中，还包括：

形成所述挡墙结构的宽度范围为9微米至11微米。

8.如权利要求1所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在形成所述牺牲层之后的步骤中，还包括；

在所述牺牲层上制备一有机膜层，所述有机膜层作为补偿层，所述补偿层的厚度范围为2微米至3微米。

9.如权利要求8所述的OLED显示面板制备方法，其特征在于，在形成所述补偿层的步骤中，还包括：

对所述补偿层利用图案化处理制备出第二沟槽，所述补偿层的制备材料与所述牺牲层的制备材料相同。

10.一种OLED显示面板，其特征在于，所述OLED显示面板采用如权利要求 1至权利要求9任一项所述的OLED显示面板制备方法制备得到，所述OLED显示面板包括：衬底基板、阵列层、像素定义层、挡墙结构、发光功能层、封装层；其中，所述挡墙结构设置在所述像素定义层上，所述挡墙结构用于阻挡量子点墨水的扩散，所述挡墙结构的厚度范围为4微米至6微米。