[发明专利]晶粒组件及其制备方法

权利要求书

1.一种晶粒组件，包括：

一第一晶粒，包括一第一基板和设置于该第一基板之上的多个第一金属线；

一第二晶粒，包括一第二基板和设置于该第二基板之上的多个第二金属线，其中该第一晶粒堆叠在该第二晶粒上，且所述多个第二金属线面对所述多个第一金属线；

一第三晶粒，包括一第三基板和设置于该第三基板之上的多个第三金属线，其中该第二晶粒堆叠在该第三晶粒上，且所述多个第三金属线面对该第二基板；

至少一第一插塞，穿过该第二基板以连接到所述多个第二金属线的至少一者；

一第一重分布层，将所述多个第一金属线的至少一者物理性连接到所述多个第二金属线的至少一者；以及

一第二重分布层，将所述多个第三金属线的至少一者物理性连接到该第一插塞。

2.如权利要求1所述的晶粒组件，其中该第一重分布层与距离该第一基板最远的该第一金属线对齐，且该第二重分布层与该第一插塞对齐。

3.如权利要求2所述的晶粒组件，还包括：

一第一介电层，位于该第一晶粒和该第二晶粒之间且环绕该第一重分布层；以及

一第二介电层，位于该第二晶粒和该第三晶粒之间且环绕该第二重分布层。

4.如权利要求1所述的晶粒组件，还包括至少一第二插塞，其穿过该第三基板并与所述多个第三金属线的至少一者接触。

5.如权利要求4所述的晶粒组件，还包括：

一第三重分布层，与该第二插塞接触；以及

一钝化层，环绕该第三重分布层。

6.如权利要求5所述的晶粒组件，还包括至少一焊锡凸块，其电性耦合到该第三重分布层。

7.如权利要求4所述的晶粒组件，还包括：

一第一障壁衬层，位于该第二基板和该第一插塞之间，且位于该第二金属线和该第一插塞之间；以及

一第二障壁衬层，位于该第三基板和该第二插塞之间，且位于该第三金属线和该第二插塞之间。

8.一种晶粒组件的制备方法，包括：

提供一第一晶粒，其包括一第一基板和位于该第一基板之上的多个第一金属线；

形成一第一重绕线层，其物理性连接到所述多个第一金属线的至少一者；

提供一第二晶粒，其包括一第二基板和位于该第二基板之上的多个第二金属线；

形成一第二重绕线层，其与该第一重绕线层对齐且与所述多个第二金属线的至少一者接触；

接合该第一重绕线层和该第二重绕线层以形成一第一重分布层；

形成至少一第一插塞，其穿过该第二基板且与所述多个第二金属线的至少一者接触；

形成一第三重绕线层，其与该第一插塞接触；

提供一第三晶粒，其包括一第三基板和位于该第三基板之上的多个第三金属线；

形成一第四重绕线层，其与该第三重绕线层对齐且与所述多个第三金属线的至少一者接触；以及

接合该第三重绕线层和该第四重绕线层以形成一第二重分布层。

9.如权利要求8所述的晶粒组件的制备方法，还包括：

沉积一毯状介电质于该第一基板之上且连接到距离该第一基板最远的所述多个第一金属线；

进行一第一蚀刻工艺以通过该毯状介电质暴露出距离该第一基板最远的所述多个第一金属线的一部分，从而形成一第一介电膜；以及

进行一电镀工艺以形成该第一重绕线层于通过该第一介电膜而暴露的所述多个第一金属线上。

10.如权利要求9所述的晶粒组件的制备方法，还包括：

在形成该第二重绕线层之前，沉积一第二介电膜以覆盖距离该第二基板最远的该第二金属线的部分；以及

在接合该第一重绕线层和该第二重绕线层的同时接合该第一介电膜和该第二介电膜。