[发明专利]一种晶圆印刷工艺

说明书

本公开属于晶片生产领域，公开一种晶圆印刷工艺，包括以下步骤：对晶圆双面进行分别加工时，晶圆加工面的对立面键合有玻璃载板；在运用二次玻璃载板键合完成背面元件及金属制程的晶圆背面，再解键合晶圆正面与第一次键合的玻璃载板，然后可将晶圆反转制作正面的图案及厚膜电镀、化镀或厚膜锡球印刷工艺.可在背面有玻璃载板的保护支撑下进行制程，且不须克服高底段差的困难，因超薄晶圆的正面只有MetalPAD,段差较小不至影响正面光阻、曝光、显影图案的制作。

技术领域

本公开属于晶片生产领域，具体涉及一种晶圆印刷工艺。

背景技术

使用玻璃载板制作背面晶圆减薄及元件制作可达成超薄晶圆的先进制程结构，若需再进行正面的厚膜电镀或厚膜锡球印刷工艺，此时解键合后晶圆已太薄，操作晶圆制作厚膜电镀或锡球印刷十分困难；若采用玻璃载板背面开窗工艺，虽可进行正面晶圆厚膜加工工艺，但制作晶圆正面图案时须克服玻璃开窗口所形成的高低段差，也有一定的技术难度须要克服。

发明内容

针对现有技术的不足，本公开的目的在于提供一种晶圆印刷工艺，解决了背景技术所提出的技术问题。

本公开的目的可以通过以下技术方案实现：

一种晶圆印刷工艺，包括以下步骤：对晶圆双面进行分别加工时，晶圆加工面的对立面键合有玻璃载板。

进一步地，包括以下步骤：

S1、完成晶圆正面工艺，并且形成平面合金金属焊点或是下凸点合金金属焊点，进行晶圆正面进行玻璃载板键合，实现第一次键合玻璃载板键合；

S2、完成晶圆背面的加工；

S3、对晶圆背面进行玻璃载板键合，实现第二次玻璃载板键合；

S4、翻转晶圆，对处于晶圆正面的玻璃载板用激光或UV照光的方式解键合，解键合后玻璃载板进行吸附移除；

S5、使用有机溶剂去除晶圆正面的黏着剂，并清洗晶圆正面。

进一步地，所述S2的晶圆背面加工方式为微影工艺、离子注入、光阻去除、激光退火工程中的一种或者多种。

进一步地，所述S2的晶圆背面加工完成后，对晶圆进行清洗，清洗完毕后，对晶圆背面镀上金属层膜。

进一步地，所述金属层膜为：含有Ti、Ni、Ag中的一种或者多种的薄膜金属层；或含有Ti、Ni V、Ag、Al中的一种或者多种的薄膜金属层。

进一步地，所述厚膜电镀铜工艺，在所述S5步骤处理后，包括S6：

S6.1、对晶圆的正面溅镀铜种子层；

S6.2、进行电镀铜开口的光阻图案；

S6.3、厚膜电镀铜工艺；

S6.4、去除光阻后，使用湿蚀刻去除铜种子层，完成厚膜铜元件架构。

进一步地，所述厚膜锡球印刷工艺，在所述S5步骤处理后，包括S6：

S6.a、对晶圆的正面采用厚光阻层，形成具有印刷光阻开口的填充孔图案；

S6.b、涂布锡膏，印刷填充光阻开口孔洞的锡柱；

S6.c、去除光阻后，涂布喷洒助焊剂；

S6.d、加热锡柱形成厚膜锡球，然后清洗去除助焊剂。

进一步地，完成所述S6后，包括S7：

对进行晶圆进行切割，在晶圆切割过程中，所述S3中的第二次玻璃载板处于键合在晶圆上。