[发明专利]一种晶圆印刷工艺在审
| 申请号: | 202011140431.X | 申请日: | 2020-10-22 |
| 公开(公告)号: | CN112259495A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
| 发明(设计)人: | 严立巍;符德荣;文锺 | 申请(专利权)人: | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
| 地址: | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 印刷 工艺 | ||
1.一种晶圆印刷工艺,其特征在于,包括以下步骤:对晶圆(1)双面进行分别加工时,晶圆(1)加工面的对立面键合有玻璃载板(2)。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆印刷工艺,其特征在于,包括以下步骤:
S1、完成晶圆(1)正面工艺,并且形成平面合金金属焊点或是下凸点合金金属焊点,进行晶圆(1)正面进行玻璃载板(2)键合,实现第一次键合玻璃载板(2)键合;
S2、完成晶圆(1)背面的加工;
S3、对晶圆(1)背面进行玻璃载板(2)键合,实现第二次玻璃载板(2)键合;
S4、翻转晶圆(1),对处于晶圆(1)正面的玻璃载板(2)用激光或UV照光的方式解键合,解键合后玻璃载板(2)进行吸附移除;
S5、使用有机溶剂去除晶圆(1)正面的黏着剂,并清洗晶圆(1)正面。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆印刷工艺,其特征在于,所述S2的晶圆1背面加工方式为微影工艺、离子注入、光阻去除、激光退火工程中的一种或者多种。
4.根据权利要求1所述的一种晶圆印刷工艺,其特征在于,所述S2的晶圆(1)背面加工完成后,对晶圆(1)进行清洗,清洗完毕后,对晶圆(1)背面镀上金属层膜(10)。
5.根据权利要求4所述的一种晶圆印刷工艺,其特征在于,所述金属层膜(10)为:含有Ti、Ni、Ag中的一种或者多种的薄膜金属层;或含有Ti、NiV、Ag、Al中的一种或者多种的薄膜金属层。
6.根据权利要求1所述的一种晶圆印刷工艺,其特征在于,所述厚膜电镀铜工艺,在所述S5步骤处理后,包括S6:
S6.1、对晶圆(1)的正面溅镀铜种子层(3);
S6.2、进行电镀铜开口的光阻图案(31);
S6.3、厚膜电镀铜工艺;
S6.4、去除光阻后,使用湿蚀刻去除铜种子层(3),完成厚膜铜元件架构。
7.根据权利要求1所述的一种晶圆印刷工艺,其特征在于,所述厚膜锡球印刷工艺,在所述S5步骤处理后,包括S6:
S6.a、对晶圆(1)的正面采用厚光阻层,形成具有印刷光阻开口的填充孔图案(4);
S6.b、涂布锡膏,印刷填充光阻开口孔洞的锡柱(41);
S6.c、去除光阻后,涂布喷洒助焊剂;
S6.d、加热锡柱(41)形成厚膜锡球,然后清洗去除助焊剂。
8.根据权利要求6或7所述的一种晶圆印刷工艺,其特征在于,完成所述S6后,包括S7:
对进行晶圆(1)进行切割,在晶圆(1)切割过程中,所述S3中的第二次玻璃载板(2)处于键合在晶圆(1)上。
9.根据权利要求8所述的一种晶圆印刷工艺,其特征在于,所述S7中的晶圆(1)切割方式为金刚石锯片、激光微调.或SF(6)等离子体刻蚀中的一种或者多种。
10.根据权利要求8所述的一种晶圆印刷工艺,其特征在于,完成所述S7后,包括以下步骤:
S8、将晶圆(1)贴附在切割框架(5)上;
S9、对第二次玻璃载板(2)进行解键,移除解键后的第二次玻璃载板(2),再去晶圆(1)上的除黏着剂,对晶圆(1)进行清洗。
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