[发明专利]一种用于GaN HEMT功率器件的驱动控制芯片

权利要求书

1.一种用于GaN HEMT功率器件的驱动控制芯片，其特征在于，包括：

高边自举电路，采集高边驱动电路中自举电容的电压，根据该电压大小自适应调节流经自举电容的电流；

高边驱动电路，将给定的高边驱动信号进行电平移位，以驱动高边GaN功率管；

低边驱动电路，利用给定的低边驱动信号驱动低边GaN功率管；

所述高边自举电路包括电压检测模块、信号处理模块、高压管开关控制模块、可控电流源以及高压开关管，其中：

所述电压检测模块用于检测采样自举电容两端电压并将其与给定的参考值进行比较，输出比较信号；

所述可控电流源由N个低压开关管并联而成，一端接工作电压VDD，另一端接高压开关管的源极，高压开关管的漏极与自举电容的一端相连，自举电容的另一端与高边GaN功率管的源极以及低边GaN功率管的漏极相连；

所述信号处理模块由电平移位器和计数器组成，电平移位器用于对比较信号的电位进行移位，进而直接将移位后的比较信号输入至计数器中，计数器输出二进制的比特代码，其位数为N，每一位代码值用于控制对应的低压开关管；

所述高压管开关控制模块用于控制高压开关管的通断，使得自举电容的电流只能单向流动，以保护可控电流源中的低压开关管。

2.根据权利要求1所述的驱动控制芯片，其特征在于：所述GaN HEMT功率器件由高边GaN功率管和低边GaN功率管串联构成，所述高边驱动信号与低边驱动信号相位互补。

3.根据权利要求1所述的驱动控制芯片，其特征在于：所述高压开关管与低边GaN功率管开关同步。