[发明专利]一种太阳能电池片电极印刷方法在审
申请号: | 202011129546.9 | 申请日: | 2020-10-21 |
公开(公告)号: | CN112397610A | 公开(公告)日: | 2021-02-23 |
发明(设计)人: | 张建军;刘苗;王贵梅 | 申请(专利权)人: | 晶澳太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 陈怡 |
地址: | 055550 *** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能电池 电极 印刷 方法 | ||
本发明公开一种太阳能电池片电极印刷方法,包括如下步骤:清洗制绒、扩散、激光掺杂、氧化、去背面氧化层、碱抛光、镀膜、激光开槽及印刷,镀膜时对硅片表面镀氮化硅膜,背面氮化硅膜的厚度为70‑80nm;在硅片背面进行激光开槽获得定位点,定位点的熔融凸起的最高点至硅片背面的垂直距离不超过10μm,印刷背面电场浆料的印刷机采用红光灯,该方法在激光开槽时,硅片背面定位点通过设定定位点相关工艺参数以减小打定位点引起的局部消融及凸起程度,以降低电池片的隐裂概率及定位点对印刷机网版造成的损坏。
技术领域
本发明涉及太阳能电池生产技术领域,特别涉及一种太阳能电池片电极印刷方法。
背景技术
随着晶硅电池技术的快速发展,碱抛光技术已经全面推广,碱抛光技术优势包括:1、背面反射率提升,增加长波吸收的同时背面氧化铝和氮化硅钝化效果更好,提升电池电流和开压;2、用氢氧化钠替代HF和硝酸,节省污水氟和氮的处理成本,碱抛成本仅为酸抛的25%,同时保护环境。
碱抛光原理:对硅片正面采用氧化硅作为保护层,背面采用高浓度碱(25%-40%)进行抛光处理,形成光滑的背表面。由于碱抛光后硅片背面的反射率由26%(湿法刻蚀法)提升至53%,若仍然采用原有的功率进行激光开槽,开槽过程中相同功率光斑会出现开膜不彻底而导致铝栅线和硅基体不能形成好的欧姆接触的异常现象,所以需要增加激光功率来保证电池的接触,以改善背面接触。
然而功率加大之后,定位点位置会打地更深,定位点位置的消融产生局部凹凸不平,导致印刷背面电场浆料的背面印刷机的网版被硌坏,严重影响网版寿命,同时定位点过深也会导致成品电池隐裂概率增加,影响电池碎片率以及客户满意度。
因此需要寻求一种适用于碱抛光工艺且能有效保护设备、提高电池片质量的太阳能电池片电极印刷方法。
发明内容
为了解决现有技术的问题,本发明提供了一种太阳能电池片电极印刷方法,通过该方法所印刷的电池片,电池片碎片率较低,且能有效提高印刷网版的寿命。
为解决上述技术问题,本发明提出如下技术方案:
一种太阳能电池片电极印刷方法,所述方法包括如下步骤:
利用碱溶液对硅片表面进行清洗及制绒;
通入磷源在制绒后的硅片表面扩散制备PN结;
利用激光将扩散后的硅片表面的磷掺杂进硅片内部形成局部重掺杂区;
利用氧气对掺杂后的硅片进行氧化以在硅片正面形成正面氧化层;
利用HF溶液对硅片背面进行清洗以除去背面氧化层;
利用碱溶液对去背面氧化层后的硅片的背面进行碱抛光处理;
对碱抛光处理后的硅片表面镀氮化硅膜,且硅片背面氮化硅膜的厚度为 70-80nm;
在硅片背面进行激光开槽获得定位点,所述定位点的熔融凸起的最高点至硅片背面的垂直距离不超过10μm;
对开槽后的硅片背面进行印刷,相应的印刷机采用红光灯。
在一种较佳的实施方式中,所述定位点的熔融凸起的最高点至硅片背面的垂直距离为2-8μm。
在一种较佳的实施方式中,当采用板式PECVD进行镀膜时,所述对碱抛光处理后的硅片表面镀氮化硅膜,包括:
在板式PECVD中对碱抛光处理后的硅片表面镀氮化硅膜,设置帯速为 250±15cm/min,获得硅片背面氮化硅膜的厚度为70-80nm。
在一种较佳的实施方式中,当采用管式PECVD进行镀膜时,所述对碱抛光处理后的硅片表面镀氮化硅膜,包括:
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的