[发明专利]一种太阳能电池片电极印刷方法

权利要求书

1.一种太阳能电池片电极印刷方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

利用碱溶液对硅片表面进行清洗及制绒；

通入磷源在制绒后的硅片表面扩散制备PN结；

利用激光将扩散后的硅片表面的磷掺杂进硅片内部形成局部重掺杂区；

利用氧气对掺杂后的硅片进行氧化以在硅片正面形成正面氧化层；

利用HF溶液对硅片背面进行清洗以除去背面氧化层；

利用碱溶液对去背面氧化层后的硅片的背面进行碱抛光处理；

对碱抛光处理后的硅片表面镀氮化硅膜，且硅片背面氮化硅膜的厚度为70-80nm；

在硅片背面进行激光开槽获得定位点，所述定位点的熔融凸起的最高点至硅片背面的垂直距离不超过10μm；

对开槽后的硅片背面进行印刷，相应的背面印刷机采用红光灯。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述定位点的熔融凸起的最高点至硅片背面的垂直距离为2-8μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当采用板式PECVD进行镀膜时，所述对碱抛光处理后的硅片表面镀氮化硅膜，包括：

在板式PECVD中对碱抛光处理后的硅片表面镀氮化硅膜，设置帯速为250±15cm/min，获得硅片背面氮化硅膜的厚度为70-80nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，当采用管式PECVD进行镀膜时，所述对碱抛光处理后的硅片表面镀氮化硅膜，包括：

设置管式PECVD中特气流量为：镀底层膜时，氨气流量为5300-6000sccm，硅烷流量为580-780sccm；镀中层膜时，氨气流量为5500-6200sccm，硅烷流量为1200-1400sccm；镀上层膜时，氨气流量为5800-6500sccm，硅烷流量为800-1000sccm，获得硅片背面氮化硅厚度为70-80nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅片背面进行激光开槽获得定位点，所述定位点的熔融凸起的最高点至硅片背面的垂直距离不超过10μm，包括：

设置背面定位点图形速度为1100-1150mm/s，背面定位点的功率为4-5W，频率为10-15KHz。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在硅片背面进行激光开槽获得定位点，所述定位点的熔融凸起的最高点至硅片背面的垂直距离不超过10μm，包括：

设置背面定位点图形速度为800-850mm/s，背面定位点的功率为3-4W，频率为10-15KHz；和/或，

设置背面定位点图形速度为800-850mm/s，背面定位点的功率为4-5W，频率为9-10KHz。

7.根据权利要求2-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述利用碱溶液对硅片表面进行清洗及制绒，包括：

在温度为80～90℃下，利用3％～5％的NaOH溶液对硅片进行清洗，并将硅片表面制成金字塔绒面。

8.根据权利要求2-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述通入磷源在制绒后的硅片表面扩散制备PN结，包括：

在温度为700-900℃下，在磷原子存在下，在制绒后的硅片表面制备一层PN结。

9.根据权利要求2-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述利用激光将扩散后的硅片表面的磷掺杂进硅片内部形成局部重掺杂区，包括：

设置激光功率为35-40W，利用激光将扩散后硅片表面的磷硅玻璃中的磷原子掺杂进硅片内部形成局部重掺杂区，以改善正面栅线的欧姆接触。

10.根据权利要求2-6任意一项所述的方法，其特征在于，所述利用氧气对掺杂后的硅片进行氧化以在硅片正面形成正面氧化层，包括：

将硅片以背靠背的方式插片；

在温度为600-700℃下，通入氧气对硅片氧化10～30min，氧气流量2000-5000sccm，获得硅片正面氧化层厚度1-2nm。