[发明专利]槽栅MOSFET器件及其制造方法

权利要求书

1.一种槽栅MOSFET器件，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底（1）、外延层（2）、阱区（3）、源区（4）、层间介质层（5）和第一电极层（6）；以及，

沟槽栅（7），包括栅极沟槽（70）、栅介质层（71）和栅导电材料层（72），所述栅极沟槽（70）一部分位于所述外延层（2）内，一部分位于所述阱区（3）内，所述栅介质层（71）位于所述栅极沟槽（70）的底部表面和侧面，所述栅导电材料层（72）填充在所述栅极沟槽（70）中；

源接触孔（8），由所述层间介质层（5）延伸至阱区（3）形成，所述第一电极层（6）通过所述源接触孔（8）与源区（4）和所述阱区（3）相连，所述源接触孔（8）包括相互连通的第一接触孔（81）和第二接触孔（82），所述第一接触孔（81）的孔径大于所述第二接触孔（82）的孔径，所述第一接触孔（81）靠近所述第一电极层（6）分布；所述第一接触孔（81）和第二接触孔（82）的结构形成阶梯形结构，且所述阶梯沿所述第二接触孔（82）向所述第一接触孔（81）的方向延伸。

2.根据权利要求1所述的槽栅MOSFET器件，其特征在于，所述第一接触孔（81）包括多个第一阶梯，所述第二接触孔（82）包括多个第二阶梯，所述多个第二阶梯的直径均小于所述多个第一阶梯的直径。

3.根据权利要求1所述的槽栅MOSFET器件，其特征在于，所述槽栅MOSFET器件还包括位于所述第二接触孔（82）下方的离子注入口（9）。

4.根据权利要求1所述的槽栅MOSFET器件，其特征在于，所述槽栅MOSFET器件还包括第二电极层（10），所述第二电极层（10）位于所述衬底（1）下方。

5.根据权利要求1所述的槽栅MOSFET器件，其特征在于，所述衬底（1）为硅衬底，所述栅介质层（71）为栅氧化层，所述栅导电材料层（72）为多晶硅。

6.一种槽栅MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述槽栅MOSFET器件制造方法用于制造权利要求1-5任一所述的槽栅MOSFET器件，所述方法包括：

提供半导体衬底（1），在所述衬底（1）上生长外延层（2），在所述外延层（2）上刻蚀形成多个沟槽栅（7）；

在所述外延层（2）上方进行离子注入并退火形成阱区（3）；

在所述阱区（3）上方进行离子掺杂形成源区（4），淀积层间介质层（5）；

第一接触孔（81）刻蚀，刻蚀穿过所述层间介质层（5）；

第二接触孔（82）刻蚀，刻蚀窗口小于第一接触孔刻蚀窗口，刻蚀穿过第一电极层（6）。

7.根据权利要求6所述的槽栅MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述在所述外延层（2）上方进行离子注入并退火形成阱区，包括在所述外延层（2）上方进行P型离子注入并退火形成P型阱区。

8.根据权利要求7所述的槽栅MOSFET器件制造方法，其特征在于，在所述阱区（3）上方进行离子掺杂，包括在P型阱区的上方进行N型离子重掺杂。

9.根据权利要求8所述的槽栅MOSFET器件制造方法，其特征在于，所述第一接触孔（81）刻蚀，包括刻蚀第一填充区域，在所述第一填充区域中填充导电介质，形成所述第一接触孔（81）；

所述第二接触孔（82）刻蚀，包括刻蚀第二填充区域，在所述第二填充区域中填充导电介质，形成所述第二接触孔（82）。