[发明专利]一种套刻标识图像处理方法及装置

说明书

本申请实施例提供了一种套刻标识图像处理方法及装置，套刻标识图像可以包括第一图形和第二图形，第一图形和第二图形套叠设置，对套刻标识图像进行识别，确定第一图形所在的第一区域和第二图形所在的第二区域，在第一区域和第二区域满足图像对比度条件时，对第一区域和/或第二区域进行随机误差修正处理，以降低第一区域和/或第二区域的噪声，基于修正后的套刻标识图像计算第一图形和第二图形之间的套刻误差。由于第一区域和/或第二区域经过随机误差修正处理，其中的噪声被抑制，利于对第一图形和第二图形的准确的边缘识别，从而提高套刻误差的计算准确性，提高套刻机台的使用效率，提升了对工艺波动和工艺误差的容差。

技术领域

本申请涉及集成电路领域，特别是涉及一种套刻标识图像处理方法及装置。

背景技术

在集成电路的制造工作中，存在以下过程：利用光刻工艺在硅片上曝光第一层图形，而后可以利用第一层图形进行硅片的第一次工艺处理，在第一次工艺处理结束后，可以更换掩膜，接着在硅片上曝光第二层图形，而后可以利用第二层图形进行硅片的第二次工艺处理，第一次工艺处理和第二次工艺处理的对象可以为不同的膜层。其中第一层图形和第二层图形需要准确的套叠在一起，因此以上过程可以称为套刻。

然而实际上，由于系统误差和偶然误差的存在，第一层图形和第二层图形的位置往往会发生偏离，即存在套刻误差。随着集成电路制造工艺关键尺寸不断缩小，先进节点制造工艺对套刻精度的要求也愈发严苛，如何进行套刻误差的测量以提高套刻精度，是光刻工艺面临的巨大挑战。目前，可以获取套刻标识图像，设定套刻识别区域，获取区域内部图像信息，根据图像信息计算套刻误差，然而实际工艺中，套刻标识图像的图像质量容易受到工艺变化的影响，不利于准确计算套刻误差。

发明内容

为解决上述技术问题，本申请实施例提供一种套刻标识图像处理方法及装置，提高套刻误差的计算精度。

本申请实施例提供了一种套刻标识图像处理方法，所述方法包括：

获取套刻标识图像，所述套刻标识图像包括第一图形和第二图形，所述第一图形和所述第二图形套叠设置；

对所述套刻标识图像进行识别，确定所述第一图形所在的第一区域和所述第二图形所在的第二区域；

在所述第一区域和所述第二区域满足图像对比度条件时，对所述第一区域和/或所述第二区域进行随机误差修正处理，以降低所述第一区域和/或所述第二区域的噪声；

基于修正后的套刻标识图像计算所述第一图形和所述第二图形之间的套刻误差。

可选的，所述对比度条件包括所述第一区域的图像对比度大于或等于第一对比度阈值，且所述第二区域的图像对比度大于或等于第二对比度阈值，在对所述第一区域和/或所述第二区域进行随机误差修正处理之前，还包括：

若所述第一区域的图像对比度小于所述第一对比度阈值，则对所述第一区域进行对比度提升处理；和/或，

若所述第二区域的图像对比度小于所述第二对比度阈值，则对所述第二区域进行对比度提升处理。

可选的，所述第一对比度阈值和所述第二对比度阈值为10％。

可选的，对所述套刻标识图像进行识别，确定所述第一图形所在的第一区域和所述第二图形所在的第二区域，包括：对所述套刻标识图像进行分割，得到所述第一图形所在的第一区域和所述第二图形所在的第二区域；

则所述对所述第一区域和/或所述第二区域进行随机误差修正处理后，还包括：对第一区域和第二区域进行拼接得到修正后的套刻标识图像。

可选的，所述套刻标识图像为盒式套叠型、线条套叠型或先进影像量测型。

可选的，所述第一套刻图形和所述第二套刻图形的套刻误差为所述第一套刻图形和所述第二套刻图形的重心偏移量。