[发明专利]高可靠性高性能薄膜微波衰减片的制作方法

权利要求书

1.一种高可靠性高性能薄膜微波衰减片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

S1、对陶瓷基板背面采用厚膜印刷工艺印刷高温银浆，印刷好导体后进行烘干，烘干温度为140-160℃，烘干时间为12-18min，在陶瓷基板的正面焊盘处采用厚膜印刷工艺印刷高温银浆，印刷好焊盘后进行烘干，烘干温度为140-160℃，烘干时间为12-18min；

S2、把印刷好背面导体和正面焊盘的陶瓷基板放入烧结炉进行烧结，烧结温度为800-850℃，烧结时间为15～20分钟；

S3、在烧结过的陶瓷基板正面涂布光刻胶，光刻胶的厚度为1-3μm，然后对光刻胶进行烘干，把带有烘干的光刻胶的陶瓷基板放入光刻机进行紫外曝光，然后用显影液把需要溅射导线的部分蚀刻掉，同时露出印刷厚膜银浆的焊盘，蚀刻时光刻胶蚀刻干净露出陶瓷基板；

S4、把已经完成显影的陶瓷基板装载到磁控溅射炉中，采用磁控溅射炉溅射Ti/W金属层，导线区域和焊盘区域导通；

溅射完Ti/W金属层后，继续溅射Ni/Cr金属层，导线区域和焊盘区域导通；

S5、溅射好Ni/Cr金属层后，在去胶液中去除光刻胶，光刻胶去除后则留下需要的导线；

S6、在已经溅射好金属导线的陶瓷基板正面再次涂布光刻胶，光刻胶厚度为1-3μm，然后对光刻胶进行烘干，把带有烘干的光刻胶的陶瓷基板，放入光刻机进行紫外曝光，然后用显影液把需要溅射电阻部分光刻胶蚀刻掉，蚀刻时光刻胶蚀刻干净露出陶瓷基板且电阻两端需要留出0.1-0.2mm的导线，溅射后的电阻需要覆盖露出的导线部分，以保证电路导通；

S7、把已经完成显影的陶瓷基板装载到磁控溅射炉中，采用磁控溅射炉溅射TaN层以形成电阻，工艺条件为：Ar气流量为18-22sccm，N₂气流量为7-9sccm，工作气压为0.5-0.7Pa，溅射功率为2500-2700W；

S8、溅射好TaN电阻层后，在去胶液中去除光刻胶，光刻胶去除后则留下需要的衰减电路的电阻，电阻通过四探针测阻仪进行检测；

S9、采用高温对TaN电阻层进行氧化，使其表面形成氧化层，对电阻进行微调，氧化层对电阻起到保护的作用；

S10、对产品印刷二次保护膜对电路进行保护，只露出需要焊接的焊盘部分和接地导线部分；

S11、用自动分条机沿着接地线方向对衰减片进行分条，并且把分好条的产品摆入治具中，然后用磁控溅射炉，再次溅射产品的侧导，以保证产品的正面电路和背面印刷的接地导线导通；

S12、溅射好侧导的产品，采用自动分粒机进行分粒，分粒好的产品进行电镀处理。

2.根据权利要求1所述的高可靠性高性能薄膜微波衰减片的制作方法，其特征在于：所述陶瓷基板为高导热陶瓷基板，所述高导热陶瓷基板为氧化铝陶瓷基板、氮化铝陶瓷基板或氧化铍陶瓷基板。

3.根据权利要求1所述的高可靠性高性能薄膜微波衰减片的制作方法，其特征在于：在步骤S1中的银浆包括以下重量份的原料：银粉60-70份、硅烷偶联剂1-2份、玻璃粉3-5份、气相二氧化硅触变剂0.5-2份、固化剂0.2-0.8份、有机溶剂3-5份和稀释剂1-2份。

4.根据权利要求3所述的高可靠性高性能薄膜微波衰减片的制作方法，其特征在于：所述玻璃粉包括二氧化钛、三氧化二硼、氧化锂和氧化钾中的至少一种；

所述硅烷偶联剂包括氨丙基三乙氧基硅烷、缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷和丙基三甲氧基硅烷中的至少一种；

所述固化剂为三甲基六亚甲基二胺；

所述有机溶剂为自二乙二醇丁醚醋酸酯；

所述稀释剂包括以下重量百分比的原料：乙醇30-60％和丁基卡必醇醋酸酯40-70％。

5.根据权利要求1所述的高可靠性高性能薄膜微波衰减片的制作方法，其特征在于：所述去胶液是浓度为5-6％的氢氧化钠溶液，经过去胶处理后，通过紫外灯光线观察光刻胶的残留量，如有残胶，反复用去胶液清洗，直至产品表面无光刻胶。