[发明专利]一种清洁硅基器件的方法

说明书

本发明公开了一种清洁硅基器件的方法。所述方法包括：提供包含OH^‑的腐蚀液，使所述腐蚀液与静电吸附有脏污的硅基器件底部接触，所述腐蚀液中的OH^‑与硅反应生成氢气，且所述氢气产生的向上的作用力至少能够使脏污克服静电吸附的作用力，进而从所述硅基器件底部的脏污去除，实现硅基器件的清洁。本发明提供的解决硅基V槽底部脏污静电吸附的方法，通过腐蚀的形式，利用硅与氢氧根离子反应产生的氢气，将由于静电吸附的脏污顶起，使其悬浮于溶液中，从而去除V槽底部的脏污，大大提高晶圆良率，可以被广泛应用于硅基V槽制作流程中。

技术领域

本发明涉及一种清洁硅基器件的方法，特别涉及一种解决硅基器件(尤其是硅基V槽)底部脏污静电吸附，从而去除脏污的方法，属于半导体制造技术领域。

背景技术

随着接入网光纤到户FTTH的迅速发展，PLC即平面光波导器件被大量使用，其典型通道数为8、16、32和64。PLC使用到通信网之前需要进行与FA即光纤阵列的连接封装，其中光波导阵列与光纤列阵的低损耗对接耦合是一道重要的工艺环节，必须同时兼顾两个指标，一是各通道的插入损耗要尽可能小，二是通道间的均匀性即插入损耗的差值也要尽可能的小。由于对准精度十分严格，硅基V槽被广泛应用于光纤中，其质量也直接影响性能。

目前，采用湿法腐蚀后的晶圆，底部由于静电吸附会有少量脏污残留，良率低。因此，如何寻求一种有效去除硅基V槽底部脏污的新技术，已然成为业界研究人员长期以来一直努力的方向。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种清洁硅基器件的方法，从而克服了现有技术中的不足。

为实现上述发明目的，本发明采用了如下技术方案：

本发明实施例提供了一种清洁硅基器件的方法，其包括：

提供包含OH^-的腐蚀液；

将所述腐蚀液与静电吸附有脏污的硅基器件底部接触，并使所述腐蚀液中的OH^-与硅于70～90℃反应生成氢气，且所述氢气产生的向上的作用力至少能够使脏污克服静电吸附的作用力，进而从所述硅基器件底部的脏污去除，实现硅基器件的清洁。

在一些优选实施例中，所述清洁硅基器件的方法包括：将静电吸附有脏污的硅基器件浸置于所述腐蚀液中，并持续腐蚀1～3min。

在一些优选实施例中，所述硅基器件具有硅基凹槽结构。

进一步地，所述硅基器件具有硅基V槽结构。

进一步地，所述方法还包括：将腐蚀后的硅基器件浸置于酸性溶液中漂洗1～5min。

较之现有技术，本发明提供的解决硅基V槽底部脏污静电吸附的方法，通过腐蚀的形式，利用硅与氢氧根离子反应产生的氢气，将由于静电吸附的脏污顶起，使其悬浮于溶液中，从而去除V槽底部的脏污，大大提高晶圆良率，可以被广泛应用于硅基V槽制作流程中。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明一典型实施方案中一种解决硅基V槽底部脏污静电吸附的方法及原理示意图。

具体实施方式