[发明专利]一种清洁硅基器件的方法

权利要求书

1.一种清洁硅基器件的方法，其特征在于包括：

提供包含OH^-的腐蚀液；

将所述腐蚀液与静电吸附有脏污的硅基器件底部接触，并使所述腐蚀液中的OH^-与硅于70～90℃反应生成氢气，且所述氢气产生的向上的作用力至少能够使脏污克服静电吸附的作用力，进而从所述硅基器件底部的脏污去除，实现硅基器件的清洁。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述腐蚀液包括氢氧化钾和/或氢氧化钠的溶液。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述腐蚀液中OH^-的浓度为20～40％。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于包括：将静电吸附有脏污的硅基器件浸置于所述腐蚀液中，并持续腐蚀1～3min。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述硅基器件具有凹槽结构。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述硅基器件具有硅基槽形结构。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：所述硅基器件为晶圆。

8.根据权利要求4所述的方法，其特征在于还包括：将腐蚀后的硅基器件浸置于酸性溶液中漂洗1～5min。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述酸性溶液为稀盐酸。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于：所述稀盐酸的浓度为10～40％。