[发明专利]运用于多层式存储单元数组的编程与验证方法

权利要求书

1.一种多层式存储单元数组的编程与验证方法，该多层式存储单元数组包括：一第一列的多个存储单元，连接至一第一字线、一源极线、一抹除线以及多条位线，每一该存储单元在一编程周期时会被编程至一目标储存状态，该目标储存状态为X个储存状态其中之一，该编程与验证方法包括下列步骤：

(a1)决定该第一列为一选定列，并设定A等于1；

(a2)在该选定列中，除了到达该目标状态的存储单元以及坏存储单元之外，将其他存储单元编程至一第A储存状态；

(a3)当A不等于X时，将A加1并回到步骤(a2)；以及

(a4)当A等于X时，结束该编程周期；

其中，A与X为整数；

其中，在该步骤(a2)中，对选定列的该其他存储单元进行多次的写入动作以及多次的验证动作，直到该其他存储单元到达该第A储存状态为止。

2.如权利要求1所述的编程与验证方法，其中该步骤(a2)还包括下列步骤：

(b1)对该其他存储单元进行一读取动作，抑制读取达到该第A储存状态的存储单元，且读取未达到该第A储存状态的存储单元；

(b2)当被读取的所有存储单元皆到达该第A储存状态时，回到该步骤(a3)；以及

(b3)当被读取的所有存储单元中尚有未到达该第A储存状态时，编程未到达该第A储存状态的存储单元。

3.如权利要求1所述的编程与验证方法，其中该步骤(a2)还包括下列步骤：

(c1)载入一编程偏压子表；

(c2)对该其他存储单元进行一读取动作，抑制读取达到该第A储存状态的存储单元，且读取未达到该第A储存状态的存储单元；

(c3)当被读取的所有存储单元皆到达该第A储存状态时，回到该步骤(a3)；

(c4)当被读取的所有存储单元中尚有未到达该第A储存状态时，判断一写入动作次数是否到达一上限；

(c5)当该写入动作次数未到达该上限时，回到步骤(c8)；

(c6)当该写入动作次数到达该上限且确认尚有未载入的编程偏压子表时，载入下一编程偏压子表，回到步骤(c8)；

(c7)当该写入动作次数到达该上限且确认没有未载入的编程偏压子表时，将未达到该第A储存状态的存储单元设定为到达该目标状态，并回到该步骤(a3)；

(c8)进行至少一次该写入动作，抑制编程达该第A储存状态的存储单元，并且编程未到达该第A储存状态的存储单元，并回到该步骤(c2)。

4.如权利要求3所述的编程与验证方法，其中该编程偏压子表于该下一编程偏压子表中指示该至少一写入动作时的一编程电压、一抹除电压与该写入次数上限。

5.如权利要求3所述的编程与验证方法，其中该步骤(c2)还包括下列步骤：

(d1)在该其他存储单元中，确认M个存储单元尚未到达该第A储存状态；

(d2)设定B等于1，且设定一计数值等于0，其中M、B与该计数值为整数；

(d3)当该M个存储单元中的一第B个存储单元之一存储单元电流大于等于一预定的存储单元电流时，确认该第B个存储单元到达该第A储存状态，且将该计数值加1；

(d4)当B不等于M时，将B加1后回到步骤(d3)；

(d5)当该计数值等于M时，回到该步骤(a3)；以及

(d6)当该计数值不等于M时，回到该步骤(c4)。

6.如权利要求3所述的编程与验证方法，其中该步骤(c2)还包括下列步骤：

(d1)在该其他存储单元中，确认N个存储单元尚未到达该第A储存状态，且其中的M个存储单元的目标储存状态为该第A储存状态；

(d2)设定B等于1，且设定一计数值等于0，其中M、N、B与该计数值为整数；

(d3)当该M个存储单元中的一第B个存储单元之一存储单元电流大于等于一预定的存储单元电流时，确认该第B个存储单元到达该第A储存状态，且将该计数值加1；

(d4)当B不等于M时，将B加1后回到步骤(d3)；

(d5)当该计数值等于M时，回到该步骤(a3)；以及

(d6)当该计数值不等于M时，回到该步骤(c4)。

7.如权利要求1所述的编程与验证方法，其中该存储单元数组，包括m×n个存储单元，连接至m条字线、该源极线、该抹除线以及n条位线，其中每一该存储单元可为X种储存状态其中之一，且X大于等于4。