[发明专利]用于处理基板的装置和方法

说明书

本发明涉及用于处理基板的装置和方法。一种用于处理基板的装置包括：工艺腔室，所述工艺腔室在内部具有工艺空间；支承单元，所述支承单元在所述工艺空间中支承所述基板；加热单元，所述加热单元设置在所述支承单元内部并加热所述基板；排放单元，所述排放单元排空所述工艺空间；和气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述工艺空间中，并且所述气体供应单元供应处于选自第一温度和第二温度的温度的所述气体。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月17日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2019-0129221的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文描述的本发明构思的实施方案涉及一种用于处理基板的装置和方法。

背景技术

执行诸如清洁、沉积、涂覆、光刻、蚀刻和离子注入等的各种工艺以制造半导体设备。在这些工艺中，沉积工艺和涂覆工艺被用作在基板上形成膜的工艺。通常，沉积工艺是通过在基板上沉积工艺气体来形成膜的工艺，以及涂覆工艺是通过将处理液施加到基板来形成液膜的工艺。

在基板上形成膜之前和之后，在基板上执行烘烤工艺。烘烤工艺是在封闭空间中将基板加热到工艺温度或更高温度的工艺。在烘烤工艺中，均匀地加热基板的整个区域，或者取决于操作者来调节基板的各个区域的温度。

图1是示出常规烘烤工艺装置的截面立体图。参照图1，多个入口管2位于烘烤工艺装置的上壁中，并且外部气体通过入口管2引入到缓冲空间4中。引入到缓冲空间4中的气体通过缓冲板6的分配孔8分配且供应到基板。

在将气体供应到烘烤工艺装置中的工艺空间中的工艺中，在基板上形成的膜的厚度可能不均匀地形成，或者将基板放置在烘烤工艺装置中之前、在基板上形成的膜的厚度可能不均匀地形成。特别地，可能难以调节在基板的中心区域上形成的膜的厚度。

发明内容

本发明构思的实施方案提供了一种用于调节在基板的中心区域上形成的液膜的厚度的基板处理装置和方法。

本发明构思要解决的技术问题不限于上述问题，且本发明构思所属领域的技术人员将从以下描述中清楚地理解本文中未提及的任何其他技术问题。

根据一示例性实施方案，一种用于处理基板的装置包括：工艺腔室，所述工艺腔室在内部具有工艺空间；支承单元，所述支承单元在所述工艺空间中支承所述基板；加热单元，所述加热单元设置在所述支承单元内部并加热所述基板；排放单元(exhaust unit)，所述排放单元配置成排空(evacuate)所述工艺空间；和气体供应单元，所述气体供应单元将气体供应到所述工艺空间中，并且所述气体供应单元供应处于于选自第一温度和第二温度的温度的所述气体。

根据一实施方案，所述气体供应单元可以包括：第一供应单元，所述第一供应单元将处于所述第一温度的所述气体供应到所述工艺空间中；第二供应单元，所述第二供应单元将处于所述第二温度的所述气体供应到所述工艺空间中，所述第二温度高于所述第一温度。

根据一实施方案，所述第二供应单元可以包括：缓冲空间，所述缓冲空间设置在所述支承单元上方；分配空间，将所述气体从所述缓冲空间输送至所述分配空间；加热器，所述加热器设置在所述缓冲空间与所述分配空间之间；和第二供应管，所述第二供应管将所述气体供应到所述缓冲空间中。

根据一实施方案，所述第一供应单元可以包括第一供应管，所述第一供应管将所述气体直接供应到所述工艺空间中。

根据一实施方案，所述第一供应单元可以穿过所述缓冲空间和所述分配空间。