[发明专利]用于处理基板的装置和方法

权利要求书

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：

工艺腔室，所述工艺腔室在内部具有工艺空间；

支承单元，所述支承单元配置成在所述工艺空间中支承所述基板；

加热单元，所述加热单元设置在所述支承单元内部并配置为加热所述基板；

排放单元，所述排放单元配置成排空所述工艺空间；和

气体供应单元，所述气体供应单元配置为将气体供应到所述工艺空间中，

其中，所述气体供应单元供应处于选自第一温度和第二温度的温度的所述气体。

2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述气体供应单元包括：

第一供应单元，所述第一供应单元配置为将处于所述第一温度的所述气体供应到所述工艺空间中；

第二供应单元，所述第二供应单元配置为将处于所述第二温度的所述气体供应到所述工艺空间中，所述第二温度高于所述第一温度。

3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第二供应单元包括：

缓冲空间，所述缓冲空间设置在所述支承单元上方；

分配空间，将所述气体从所述缓冲空间输送至所述分配空间；

加热器，所述加热器设置在所述缓冲空间与所述分配空间之间；和

第二供应管，所述第二供应管配置为将所述气体供应到所述缓冲空间中。

4.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一供应单元包括第一供应管，所述第一供应管配置为将所述气体直接供应到所述工艺空间中。

5.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一供应单元穿过所述缓冲空间和所述分配空间。

6.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第二供应单元还包括：

分隔板，所述分隔板配置为将所述第二供应单元的内部空间分隔成所述缓冲空间和所述分配空间，所述分隔板具有在其中形成的第一孔；和

分配板，所述分配板具有在其中形成的第二孔，所述分配板用于将所述分配空间中的所述气体分配到所述工艺空间中，并且

其中，所述分隔板面向所述基板的中心区域，以及所述分配板面向所述基板的整个区域。

7.根据权利要求2所述的装置，其中，所述第一供应单元和所述第二供应单元的分配开口面向所述基板的中心区域。

8.根据权利要求1所述的装置，其中，所述气体供应单元包括：

测量设备，所述测量设备配置为测量在所述基板上形成的所述液膜的厚度；和

控制器，所述控制器配置为接收由所述测量设备测量的、在所述基板上的所述液膜的厚度，并且控制所述气体供应单元。

9.根据权利要求8所述的装置，其中，基于由所述测量设备测量的、在所述基板上的所述液膜的厚度，当在所述基板的中心区域上形成的所述液膜的厚度大于或等于预定值时，所述控制器供应处于所述第二温度的所述气体，以及当在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度小于所述预定值时，所述控制器供应处于所述第一温度的所述气体，并且

其中，所述控制器控制所述气体供应单元以持续供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。

10.根据权利要求8所述的装置，其中，基于由所述测量设备测量的、在所述基板上的所述液膜的厚度，当在所述基板的中心区域上形成的所述液膜的厚度大于或等于预定值时，所述控制器供应处于所述第二温度的所述气体，并且

其中，所述控制器控制所述气体供应单元，以随着在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度的增加而增加所述气体的流速，并且持续供应所述气体，直到在所述基板的所述中心区域上形成的所述液膜的厚度达到所述预定值为止。