[发明专利]一种硅基有机电致发光微显示器及其制备方法

说明书

本发明实施例公开了一种硅基有机电致发光微显示器及其制备方法。该硅基有机电致发光微显示器包括：硅基电路基板，所述硅基电路基板包括硅基衬底和位于所述硅基衬底上的驱动电路；多个子像素，所述子像素设置在所述硅基电路基板上，所述子像素包括依次层叠设置的第一电极、缓冲图形、有机发光层和第二电极，所述第一电极与所述驱动电路电连接；其中，所述缓冲图形由缓冲层经图案化形成，所述缓冲层利用缓冲材料的水溶液制备而成。本发明实施例解决了现有硅基有机电致发光微显示器中子像素之间容易发生横向漏电的问题，可以避免子像素之间相互串色，同时可以提高子像素的空穴注入能力，改善载流子的复合效率，提升子像素的发光效率。

技术领域

本发明实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种硅基有机电致发光微显示器及其制备方法。

背景技术

硅基有机电致发光器件是一种在制备有半导体CMOS电路的单晶硅基底上进一步制作有机电致发光材料的光电子器件，封装后可形成硅基有机发光微显示器。硅基有机电致发光显示具有亮度，色彩丰富、驱动电压低、响应速度快和功耗低等特点，并且可在小于1英寸的显示面积下提供更高清的分辨率，因此，发展非常迅速，可应用在军事、医学、工业、航空航天以及娱乐消费电子等领域，尤其是穿戴设备、虚拟显示、增强现实等新颖应用上。

目前常见硅基有机电致发光微显示器的工艺路线为晶圆厂制备CMOS底层电路，然后在面板显示厂内制作后续的蒸镀封装、CF、切割、bonding等工艺。晶圆厂在制备底层电路的同时会制备出阳极，或者，阳极也可在面板厂进行制备，导致通常硅基有机电致发光微显示器的阳极会选用金属或者金属氮化物例如铝或氮化铝制备。在子像素中，利用Al或者TiN制成的阳极，具有较低的功函数，导致空穴的注入能力降低。为了解决此问题，目前在制备硅基子像素时会通过p掺杂的有机材料例如NPD-9来提高阳极的注入能力。而由于目前做硅基有机电致发光微显示器的制备方法都是使用Open mask蒸镀一层该p掺杂有机材料，同时由于NPD-9材料的导电性极强，子像素的间距很小(一般在1um 左右)，因而容易导致子像素之间发生横向漏电，进而使得相邻的子像素之间会发生串色，导致色域降低。

发明内容

本发明提供一种硅基有机电致发光微显示器及其制备方法，以改善硅基有机电致发光微显示器的制备工艺，提高硅基有机电致发光微显示器的相互绝缘能力，避免硅基有机电致发光微显示器间的串色问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种硅基有机电致发光微显示器，包括：

硅基电路基板，所述硅基电路基板包括硅基衬底和位于所述硅基衬底上的驱动电路；

多个子像素，所述子像素设置在所述硅基电路基板上，所述子像素包括依次层叠设置的第一电极、缓冲图形、有机发光层和第二电极，所述第一电极与所述驱动电路电连接；

其中，所述缓冲图形由缓冲层图案化形成，所述缓冲层利用缓冲材料的水溶液制备而成。

可选地，还包括依次层叠设置的封装层、滤色层和盖板玻璃，所述滤色层包括多个滤色点；

所述封装层位于所述多个子像素背离所述硅基电路基板的一侧，且覆盖所述多个子像素；

所述滤色层位于所述封装层背离所述子像素的一侧，所述多个滤色点与所述多个子像素一一对应；

所述盖板玻璃位于所述滤色层背离所述封装层的一侧。

第二方面，本发明实施例还提供了一种硅基有机电致发光微显示器的制备方法，包括：

利用缓冲材料的水溶液，在硅基电路基板上的多个第一电极上形成缓冲层，所述多个第一电极均匀排布在所述硅基电路基板上；

对所述缓冲层进行图案化，形成多个缓冲图形，所述缓冲图形与所述第一电极一一对应上下层叠；

在每个所述缓冲图形背离所述第一电极的一侧，依次形成有机发光层和第二电极，形成多个子像素。