[发明专利]一种硅基有机电致发光微显示器及其制备方法在审
| 申请号: | 202011118174.X | 申请日: | 2020-10-19 |
| 公开(公告)号: | CN112510068A | 公开(公告)日: | 2021-03-16 |
| 发明(设计)人: | 刘玉龙;沈伟星;季渊;潘仲光 | 申请(专利权)人: | 南京昀光科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 211100 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 有机 电致发光 显示器 及其 制备 方法 | ||
1.一种硅基有机电致发光微显示器,其特征在于,包括:
硅基电路基板,所述硅基电路基板包括硅基衬底和位于所述硅基衬底上的驱动电路;
多个子像素,所述子像素设置在所述硅基电路基板上,所述子像素包括依次层叠设置的第一电极、缓冲图形、有机发光层和第二电极,所述第一电极与所述驱动电路电连接;
其中,所述缓冲图形由缓冲层经图案化形成,所述缓冲层利用缓冲材料的水溶液制备而成。
2.根据权利要求1所述的硅基有机电致发光微显示器,其特征在于,还包括依次层叠设置的封装层、滤色层和盖板玻璃,所述滤色层包括多个滤色点;
所述封装层位于所述多个子像素背离所述硅基电路基板的一侧,且覆盖所述多个子像素;
所述滤色层位于所述封装层背离所述子像素的一侧,所述多个滤色点与所述多个子像素一一对应;
所述盖板玻璃位于所述滤色层背离所述封装层的一侧。
3.一种硅基有机电致发光微显示器的制备方法,其特征在于,包括:
利用缓冲材料的水溶液,在硅基电路基板上的多个第一电极上形成缓冲层,所述多个第一电极均匀排布在所述硅基电路基板上;
对所述缓冲层进行图案化,形成多个缓冲图形,所述缓冲图形与所述第一电极一一对应上下层叠;
在每个所述缓冲图形背离所述第一电极的一侧,依次形成有机发光层和第二电极,形成多个子像素。
4.根据权利要求3所述的硅基有机电致发光微显示器的制备方法,其特征在于,所述硅基电路基板包括硅基衬底和位于所述硅基衬底上的驱动电路,所述驱动电路包括多个所述第一电极;
利用缓冲材料的水溶液,在硅基电路基板上的多个第一电极上形成缓冲层,包括:
在所述硅基电路基板上形成光刻胶图案,所述光刻胶图案中的光刻胶位于任意相邻的两个所述第一电极之间,所述第一电极背离所述硅基衬底的一侧表面与所述光刻胶图案背离所述硅基衬底的一侧表面平齐;
在所述光刻胶图案和多个所述第一电极上涂覆缓冲材料的水溶液,形成缓冲层;
对所述缓冲层进行图案化,形成多个缓冲图形,包括:
采用油溶性有机溶剂,溶解所述光刻胶图案和剥离所述光刻胶图案上的膜层,形成多个所述缓冲图形。
5.根据权利要求4所述的硅基有机电致发光微显示器的制备方法,其特征在于,在所述硅基电路基板上形成光刻胶图案,包括:
在所述硅基电路基板上形成光刻胶层,所述光刻胶层覆盖所述第一电极和所述硅基衬底;
对所述光刻胶层进行固化;
对所述光刻胶层进行曝光显影,形成所述光刻胶图案。
6.根据权利要求1所述的硅基有机电致发光微显示器的制备方法,其特征在于,所述硅基电路基板包括硅基衬底和位于所述硅基衬底上的驱动电路,所述驱动电路包括多个导引电极;
利用缓冲材料的水溶液,在硅基电路基板上的多个第一电极上形成缓冲层,包括:
在所述硅基电路基板上形成光刻胶图案,所述光刻胶图案中的光刻胶位于任意相邻的两个所述导引电极之间;
在所述光刻胶图案和所述导引电极上形成第一电极层;
在所述第一电极层上涂覆缓冲材料的水溶液,形成缓冲层;
对所述缓冲层进行图案化,形成多个缓冲图形,包括:
采用油溶性有机溶剂,溶解所述光刻胶图案和所述光刻胶图案上的膜层,形成多个所述缓冲图形。
7.根据权利要求6所述的硅基有机电致发光微显示器的制备方法,其特征在于,在所述硅基电路基板上形成光刻胶图案,包括:
在所述硅基电路基板上形成光刻胶层,所述光刻胶层覆盖所述导引电极和所述硅基衬底;
对所述光刻胶层进行固化;
对所述光刻胶层进行曝光显影,形成所述光刻胶图案。
8.根据权利要求4或6所述的硅基有机电致发光微显示器的制备方法,其特征在于,采用油溶性有机溶剂,溶解所述光刻胶图案和剥离所述光刻胶图案上的膜层,形成多个所述缓冲图形之前,所述制备方法还包括:
对所述缓冲层进行退火处理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





