[发明专利]非易失型闪存深睡眠低静态功耗的电路有效
| 申请号： | 202011117308.6 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN111951866B | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 冯鹏亮;陈纬荣;陈慧 | 申请（专利权）人： | 深圳市芯天下技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/30 | 分类号： | G11C16/30;G06F1/3234 |
| 代理公司： | 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 | 代理人： | 陈志超;唐敏珊 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区横*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 非易失型 闪存 睡眠 静态 功耗 电路 | ||
1.一种非易失型闪存深睡眠低静态功耗的电路，其特征在于，包括常通电源域和可关断电源域，所述常通电源域内的时序逻辑电路由常通电源电压VCC供电，可关断电源域内的时序逻辑电路由可关断电源电压VCC_PG供电；
所述常通电源域一端连接常通电源电压VCC，常通电源域另一端接地，常通电源域包括用于响应退出深睡眠状态指令的接口模块电路SPI interface、负责上电状态机的上电模块电路Config；所述可关断电源域一端连接可关断电源电压VCC_PG，可关断电源域另一端接地，所述可关断电源域包括擦除编程状态机模块电路Algorithm；所述可关断电源域与第一与门的其中一个输入端连接，第一与门的另一个输入端连接使能信号iso_en，第一与门的输出端与常通电源域连接，第一与门连接常通电源电压VCC。
2.根据权利要求1所述的非易失型闪存深睡眠低静态功耗的电路，其特征在于，所述可关断电源电压VCC_PG如下设置：所述可关断电源域一端连接常通电源电压VCC，在常通电源电压VCC和可关断电源域一端之间设置一个可关断开关。
3.根据权利要求2所述的非易失型闪存深睡眠低静态功耗的电路，其特征在于，所述可关断开关采用PMOS管，所述PMOS管的栅极连接使能信号pg_en,PMOS管的漏极连接常通电源电压VCC，PMOS管的源极连接可关断电源域一端。
4.根据权利要求1所述的非易失型闪存深睡眠低静态功耗的电路，其特征在于，所述电路还包括模拟模块电路Analog，所述模拟模块电路Analog的一端连接常通电源电压VCC，模拟模块电路Analog另一端接地；所述可关断电源域与第二与门的其中一个输入端连接，第二与门的另一个输入端连接使能信号iso_en，第二与门的输出端与模拟模块电路Analog连接，第二与门连接常通电源电压VCC。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市芯天下技术有限公司，未经深圳市芯天下技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011117308.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
