[发明专利]一种晶圆中心的校正方法及系统

说明书

本发明公开了一种晶圆中心的校正方法及系统，其中，所述校正系统包括：机台本体；反应腔，位于所述机台本体内；吸附设备，包括一静电吸盘，所述静电吸盘上具有图案，所述静电吸盘上形成有一层高分子薄膜，所述高分子薄膜覆盖所述图案；测试控片，用于粘结所述高分子薄膜，以获取所述图案；光学扫描设备，用于显示所述图案的分布情况；偏移量计算器，用于根据所述分布情况，确定所述图案的中心与所述测试控片中心的偏移量；偏移量校正器，用于根据所述偏移量，校正所述图案的中心与另一所述测试控片的中心重合。本发明能精准校正晶圆的中心，且大幅度减少了生产工序流程和生产时间。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种晶圆中心的校正方法及系统。

背景技术

目前，蚀刻技术例如应用于，8寸和12寸晶圆上的栅极、浅沟道隔离槽、接触窗、铜制程与铝制程等过程中，当晶圆传输至蚀刻机台中的反应腔内的静电吸盘上后，若存在晶圆中心点偏移的现象，造成晶圆均匀度偏差或晶圆吸附失败等状况时，则需要破真空打开反应腔，来进行晶圆中心点的偏移校正，但是，破真空后，蚀刻机台重新恢复生产线时，需重新抽真空、测漏率，并再进行测机，且等待人员判断无异常后才能回线，这无疑损耗了大量可用于生产的时间。

发明内容

鉴于上述现有技术的缺陷，本发明提出一种晶圆中心的校正方法及系统，能够在已知晶圆中心发生偏移时，能精准校正晶圆的中心，不需要打破真空环境，也不需要重新恢复蚀刻机台的生产线，大幅度减少了生产工序流程和生产时间。

为实现上述目的及其他目的，本发明是采用如下技术方案来实现的，本发明提供一种晶圆中心的校正系统，包括：

机台本体；

反应腔，位于所述机台本体内；

真空泵，与所述反应腔连接；

吸附设备，位于所述反应腔内，所述吸附设备包括一静电吸盘，所述静电吸盘上具有图案，所述静电吸盘上形成有一层高分子薄膜，所述高分子薄膜覆盖所述图案；

测试控片，用于粘结所述高分子薄膜，以获取所述图案，所述高分子薄膜上转印有所述图案；

传输设备，与所述机台本体连接，用于将所述测试控片送入或送出所述反应腔；

光学扫描设备，与所述传输设备连接，所述光学扫描设备用于显示所述图案的分布情况；

偏移量计算器，与所述光学扫描设备连接，所述偏移量计算器用于根据所述分布情况，确定所述图案的中心与所述测试控片中心的偏移量；

偏移量校正器，位于所述机台本体内，且与所述偏移量计算器连接，所述偏移量校正器用于根据所述偏移量，来使所述图案的中心与另一所述测试控片的中心重合。

在一实施例中，所述图案的中心与所述静电吸盘的中心重合，且所述图案环形分布于所述静电吸盘上。

在一实施例中，所述测试控片包括：

晶圆本体；

氧化硅层，形成于所述晶圆本体上；

在所述氧化硅层上，粘结有所述高分子薄膜。

在一实施例中，所述静电吸盘上具有三个孔洞，所述三个孔洞之间呈三角形排列。

在一实施例中，所述校正系统还包括三个升降支柱，所述三个升降支柱分别连接所述三个孔洞。

在一实施例中，所述高分子薄膜的区域覆盖面积大于所述静电吸盘上的图案所在的区域面积。

在一实施例中，所述高分子薄膜的沉积气体包括多种等离子气体。

在一实施例中，所述高分子薄膜的厚度为50～200纳米。