[发明专利]一种晶圆中心的校正方法及系统

权利要求书

1.一种晶圆中心的校正系统，其特征在于，包括：

机台本体；

反应腔，位于所述机台本体内；

真空泵，与所述反应腔连接；

吸附设备，位于所述反应腔内，所述吸附设备包括一静电吸盘，所述静电吸盘上具有图案，所述静电吸盘上形成有一层高分子薄膜，所述高分子薄膜覆盖所述图案；

测试控片，用于粘结所述高分子薄膜，以获取所述图案，所述高分子薄膜上转印有所述图案；

传输设备，与所述机台本体连接，用于将所述测试控片送入或送出所述反应腔；

光学扫描设备，与所述传输设备连接，所述光学扫描设备用于显示所述图案的分布情况；

偏移量计算器，与所述光学扫描设备连接，所述偏移量计算器用于根据所述分布情况，确定所述图案的中心与所述测试控片中心的偏移量；

偏移量校正器，位于所述机台本体内，且与所述偏移量计算器连接，所述偏移量校正器用于根据所述偏移量，通过调整所述机台本体上的机械悬臂的位置，来校正所述图案的中心与另一所述测试控片的中心重合。

2.根据权利要求1所述的校正系统，其特征在于，所述图案的中心与所述静电吸盘的中心重合，且所述图案环形分布于所述静电吸盘上。

3.根据权利要求1所述的校正系统，其特征在于，所述测试控片包括：

晶圆本体；

氧化硅层，形成于所述晶圆本体上；

在所述氧化硅层上，粘结有所述高分子薄膜。

4.根据权利要求1所述的校正系统，其特征在于，所述静电吸盘上具有三个孔洞，所述三个孔洞之间呈三角形排列。

5.根据权利要求4所述的校正系统，其特征在于，所述校正系统还包括三个升降支柱，所述三个升降支柱分别连接所述三个孔洞。

6.根据权利要求1所述的校正系统，其特征在于，所述高分子薄膜的区域覆盖面积大于所述静电吸盘上的图案所在的区域面积。

7.根据权利要求1所述的校正系统，其特征在于，所述高分子薄膜的沉积气体包括多种等离子气体。

8.一种晶圆中心的校正方法，其特征在于，至少包括以下步骤：

提供权利要求1-7任意一项所述的校正系统；

通过所述真空泵抽取所述反应腔，使得所述反应腔内处于真空状态；

形成所述高分子薄膜于所述静电吸盘上，所述静电吸盘上具有图案，所述高分子薄膜覆盖所述图案；

通过所述测试控片粘结所述高分子薄膜，以获取所述图案，所述高分子薄膜上转印有所述图案；

通过所述传输设备，将所述测试控片送入或送出所述反应腔；

通过所述光学扫描设备，显示所述图案的分布情况；

根据所述分布情况，通过所述偏移量计算器，确定所述图案的中心与所述测试控片中心的偏移量；

根据所述偏移量，通过所述偏移量校正器调整所述机台本体上的机械悬臂的位置，来校正所述图案的中心与另一所述测试控片的中心重合。

9.根据权利要求8所述的校正方法，其特征在于，在将所述测试控片送入或送出所述反应腔的过程中，所述传输设备处于真空状态。

10.根据权利要求8所述的校正方法，其特征在于，在通过所述测试控片粘结所述高分子薄膜的过程中，使所述测试控片的平坦面接触所述静电吸盘。