[发明专利]一种Si-O-C三维交联结构纳米环、制备方法及其应用有效

专利信息
申请号: 202011112161.1 申请日: 2020-10-16
公开(公告)号: CN112225223B 公开(公告)日: 2023-07-25
发明(设计)人: 宋怀河;林谢吉;李昂;陈晓红 申请(专利权)人: 北京化工大学
主分类号: C01B33/18 分类号: C01B33/18;C01B32/05;H01M4/48;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 si 三维 交联 结构 纳米 制备 方法 及其 应用
【权利要求书】:

1.一种Si-O-C三维交联结构纳米环,其特征在于:所述纳米环直径在100-500纳米,壁厚在20-100纳米,比表面积在300-800m2/g之间,环相互交联形成三维网络结构。

2.如权利要求1所述一种Si-O-C三维交联结构纳米环的制备方法,其特征在于按下列方法制备:

步骤一:将原料、还原剂镁粉或铝粉和氯化盐按照一定比例混合均匀后,在惰性气氛条件下装入高温高压反应釜中,200~450℃下充分反应,利用盐酸溶液除去副产物,得到预产物;所述的原料为八苯基倍半硅氧烷、十二苯基倍半硅氧烷、梯形苯基倍半硅氧烷、甲基硅油、苯基三甲氧基硅烷、苯基三氯硅烷中的一种;所述的氯化盐为三氯化铝、氯化锌、三氯化铁、氯化钠、氯化钙中的一种或多种;

步骤二:取步骤一中所得的预产物,放入高温炭化炉中,惰性气氛下加热至500~900℃,保温3~6小时,即可得到Si-O-C三维交联结构纳米环。

3.一种权利要求1所述的Si-O-C三维交联结构纳米环或由权利要求2所述方法制备得到的Si-O-C三维交联结构纳米环在锂离子电池负极材料和吸附材料领域的应用。

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