[发明专利]一种背撑膜及其生产工艺和应用

权利要求书

1.一种背撑膜的生产工艺，其特征在于，所述生产工艺包括以下步骤：

1)放聚酰亚胺基材膜，将有机硅压敏胶通入料槽，通过微凹辊逆向涂布方式，将有机硅压敏胶涂布至聚酰亚胺基材膜的表面，得到涂布有有机硅压敏胶的聚酰亚胺基材膜；

2)将步骤1)得到的涂布有有机硅压敏胶的聚酰亚胺基材膜经过真空度为0.1-0.5MPa的真空吸附辊后，进入烘箱干燥、固化，贴合离型膜，经复合压辊、收卷，得到所述背撑膜；

所述微凹辊由两个压辊和一个涂布辊组成，两个所述压辊对称分布于所述涂布辊的上方；

所述微凹辊直径设置为φ50-70mm，料槽宽度80-120mm；

工作时，所述基材膜的走向与所述涂布辊的方向相反，两个所述压辊向下运动，使基材膜与所述涂布辊贴合，两个所述压辊继续向下运动并使所述压辊的最低点与所述涂布辊的最高点之间连线与水平方向的夹角为150-180°；

步骤2)所述烘箱为七节烘箱，通过风频和加热温度控制干燥和固化的程度；

步骤2)中，所述干燥、固化过程为低温干燥、高温固化过程。

2.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，步骤2)中，每节烘箱的风频依次为45-55Hz、35-45Hz、25-35Hz、25-35Hz、25-35Hz、35-45Hz、35-45Hz。

3.根据权利要求2所述的生产工艺，其特征在于，每节烘箱的风频依次为50Hz、40Hz、30Hz、30Hz、30Hz、40Hz、40Hz。

4.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，步骤2)中，每节烘箱的加热温度依次为70-90℃、110-130℃、150-170℃、190-210℃、190-210℃、170-190℃、110-130℃。

5.根据权利要求4所述的生产工艺，其特征在于，每节烘箱的加热温度依次为80℃、120℃、160℃、200℃、200℃、180℃、120℃。

6.根据权利要求1所述的生产工艺，其特征在于，所述离型膜为无硅离型膜。

7.根据权利要求6所述的生产工艺，其特征在于，所述离型膜为PET膜。

8.根据权利要求1-6之一所述的生产工艺，其特征在于，所述生产工艺包括以下步骤：

1)放聚酰亚胺基材膜，将有机硅压敏胶通入料槽，通过微凹辊逆向涂布方式，将有机硅压敏胶涂布至聚酰亚胺基材膜的表面，得到涂布有有机硅压敏胶的聚酰亚胺基材膜；

2)将步骤1)得到的涂布有有机硅压敏胶的聚酰亚胺基材膜经过真空度为0.1-0.5MPa的真空吸附辊吸附后，进入七节烘箱干燥、固化，每节烘箱的风频依次为50Hz、40Hz、30Hz、30Hz、30Hz、40Hz、40Hz，每节烘箱的加热温度依次为80℃、120℃、160℃、200℃、200℃、180℃、120℃，贴合离型膜，经复合压辊、收卷，得到所述背撑膜。

9.一种如权利要求1-8任一项所述的生产工艺制备得到的背撑膜。

10.根据权利要求9所述的背撑膜，其特征在于，包括从上至下依次设置的聚酰亚胺基材膜层、有机硅压敏胶层和离型膜层。

11.根据权利要求10所述的背撑膜，其特征在于，所述聚酰亚胺基材膜层的厚度为12.5-75μm。

12.根据权利要求10所述的背撑膜，其特征在于，所述有机硅压敏胶层的厚度为2-10μm。

13.根据权利要求10所述的背撑膜，其特征在于，所述离型膜层的厚度为40-60μm。

14.一种如权利要求9-13之一所述的背撑膜的应用，其特征在于，将所述背撑膜用于集成电路中半导体的封装。