[发明专利]一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法

说明书

本发明涉及一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，所述方法包括：在陶瓷基体表面沉积第一致密层；在所述第一致密层表面沉积第一银层；在所述第一银层表面沉积金属层；在所述金属层表面沉积第二银层；在所述第二银层表面沉积第二致密层。本发明中的上述方法成本低，致密性好。

技术领域

本发明涉及陶瓷滤波器领域，特别是涉及一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法。

背景技术

5G陶瓷滤波器是由金属钙镁钛等金属氧化物材料制成的，把这种陶瓷材料制成片状，两面涂银作为电极，经过直流高压极化后就具有压电效应。起滤波的作用，具有稳定、抗干扰性能良好的特点，广泛应用于5G基站、电视机、录像机、收音机等各种电子产品中作选频元件。它具有性能稳定、无需调整、价格低等优点，取代了传统的LC滤波网络。原理为利用陶瓷材料压电效应实现电信号→机械振动→电信号的转化，从而取代部分电子电路中的LC滤波电路，使其工作更加稳定。现陶瓷滤波器有部分基于物理气相沉积(PVD)的方法进行银金属沉积，具体是通过磁控溅射和多弧离子镀技术进行组合，但基于该方法存在着成本偏高的关键难点。

发明内容

本发明的目的是提供一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，降低制作成本，提高致密性。

为实现上述目的，本发明提供了如下方案：

一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，所述方法包括：

在陶瓷基体表面沉积第一致密层；

在所述第一致密层表面沉积第一银层；

在所述第一银层表面沉积金属层；

在所述金属层表面沉积第二银层；

在所述第二银层表面沉积第二致密层。

可选的，所述在陶瓷基体表面沉积第一致密层具体包括：

采用高功率脉冲偏压技术在陶瓷基体表面沉积第一致密层，脉冲偏压为10-50kv，起弧电流为20-100A，所述第一致密层的沉积厚度为1-100nm，膜层为Ag或Au。

可选的，在所述第一致密层表面沉积第一银层具体包括：

采用多弧技术在所述第一致密层表面沉积第一银层，起弧电流为30-90A。

可选的，所述第一银层的沉积厚度为1-3μm。

可选的，在所述第一银层表面沉积金属层具体包括：

采用磁控溅射技术在所述第一银层表面沉积金属层。

可选的，所述金属层为Cu、Ti、Cr、Al中的一种，沉积厚度为4-8μm。

可选的，在所述金属层表面沉积第二银层具体包括：

采用多弧技术在所述金属层表面沉积第二银层，起弧电流为30-90A。

可选的，所述第二银层的沉积厚度为1-3μm。

可选的，在所述第二银层表面沉积第二致密层具体包括：

采用高功率脉冲偏压技术在所述第二银层表面沉积第二致密层，脉冲偏压为10-50kv，起弧电流为20-100A，所述第二致密层的沉积厚度为1-100nm，膜层为Ag或Au。

可选的，整体膜层的厚度在6-14μm，所述第一银层和所述第二银层的总厚度小于等于膜总厚度的1/2。

根据本发明提供的具体实施例，本发明公开了以下技术效果：

本发明中的上述工艺，金属银膜和基体结合强度高；膜层致密性好，电阻小，差损低，无缺陷；成本较低，不超过涂覆银的1/2；插入损耗更低，可实现无污染，环境友好型生产。

附图说明