[发明专利]一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法有效
| 申请号： | 202011109754.2 | 申请日： | 2020-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN112117520B | 公开（公告）日： | 2022-08-09 |
| 发明（设计）人： | 廖斌 | 申请（专利权）人： | 廖斌 |
| 主分类号： | H01P11/00 | 分类号： | H01P11/00 |
| 代理公司： | 北京高沃律师事务所 11569 | 代理人： | 张梦泽 |
| 地址： | 519080 广东省珠*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 陶瓷滤波器 沉积 方法 | ||
1.一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，其特征在于，所述方法包括：
在陶瓷基体表面沉积第一致密层；
所述在陶瓷基体表面沉积第一致密层具体包括：
采用高功率脉冲偏压技术在陶瓷基体表面沉积第一致密层，脉冲偏压为10-50kv，起弧电流为20-100A，所述第一致密层的沉积厚度为1-100nm，膜层为Ag或Au；
在所述第一致密层表面沉积第一银层；所述第一银层的沉积厚度为1-3μm；
在所述第一致密层表面沉积第一银层具体包括：
采用多弧技术在所述第一致密层表面沉积第一银层，起弧电流为30-90A；
在所述第一银层表面沉积金属层；
在所述第一银层表面沉积金属层具体包括：
采用磁控溅射技术在所述第一银层表面沉积金属层；
在所述金属层表面沉积第二银层；所述第二银层的沉积厚度为1-3μm；
在所述金属层表面沉积第二银层具体包括：
采用多弧技术在所述金属层表面沉积第二银层，起弧电流为30-90A；
在所述第二银层表面沉积第二致密层；
在所述第二银层表面沉积第二致密层具体包括：
采用高功率脉冲偏压技术在所述第二银层表面沉积第二致密层，脉冲偏压为10-50kv，起弧电流为20-100A，所述第二致密层的沉积厚度为1-100nm，膜层为Ag或Au；
整体膜层的厚度在6-14μm，所述第一银层和所述第二银层的总厚度小于等于膜总厚度的1/2。
2.根据权利要求1所述的一种5G陶瓷滤波器膜层沉积方法，其特征在于，所述金属层为Cu、Ti、Cr、Al中的一种，沉积厚度为4-8μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于廖斌，未经廖斌许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011109754.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：圆弧气缸和活塞驱动的无曲轴发动机
- 下一篇：一种汽车车顶充气帐篷
