[发明专利]芯壳量子点、其制造方法、量子点群、量子点复合物、量子点组合物和显示器件

说明书

本发明涉及芯壳量子点、其制造方法、量子点群、量子点复合物、量子点组合物和显示器件。公开了芯壳量子点及其制造，所述芯壳量子点包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌、碲、和硒；和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌、以及硒、硫或其组合，其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，其中所述芯壳量子点包括氯，其中在所述芯壳量子点中，氯相对于碲的摩尔比大于或等于约0.01:1，和其中所述芯壳量子点的量子效率大于或等于约10％。

对相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年10月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2019-0129447的优先权和权益、以及由其产生的所有权益，将其全部内容通过引用引入本文中。

技术领域

公开了芯壳量子点、其制造方法、和包括其的电子器件。

背景技术

与块状(本体)材料不同，纳米颗粒的物理特性(例如，能带隙和熔点)可通过改变纳米颗粒的尺寸而控制。例如，半导体纳米晶体颗粒(也称作量子点)为具有若干纳米的尺寸的结晶材料。半导体纳米晶体颗粒具有相对小的尺寸和由此大的每单位体积的表面积，呈现出量子限制效应并且具有与具有相同组成的块状材料不同的性质。量子点可吸收来自激发源的光并且变成受激发的，发射与量子点的带隙能量对应的能量。

发明内容

实施方式提供不含镉的量子点，其能够实现提升的例如改善的光学性质例如发光效率和稳定性(例如，氧化稳定性)。

实施方式提供制造前述不含镉的量子点的方法。

实施方式提供包括前述不含镉的量子点的量子点复合物。

实施方式提供包括前述不含镉的量子点的电子器件(例如，显示器件)。

在实施方式中，芯壳量子点(下文中，也称作量子点)包括：包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌、碲、和硒；和设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括锌；以及硒、硫、或其组合，

其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，

其中所述芯壳量子点进一步包括氯，和

其中所述芯壳量子点的量子效率大于或等于约10％。

在所述芯壳量子点中，氯相对于碲的摩尔比(Cl:Te)大于或等于约0.01:1。

所述芯壳量子点可具有大于或等于约15％、大于或等于约20％、大于或等于约25％、大于或等于约30％、大于或等于约35％、大于或等于约40％、大于或等于约45％、或者大于或等于约50％的量子效率。

在所述芯中，碲相对于硒的摩尔比可大于或等于约0.2:1且小于或等于约5:1。

所述芯壳量子点可具有大于或等于约0.05:1的碲相对于硒的摩尔比(Te:Se)。碲相对于硒的摩尔比(Te:Se)可大于或等于约0.1:1。碲相对于硒的摩尔比(Te:Se)可大于或等于约0.15:1。碲相对于硒的摩尔比(Te:Se)可大于或等于约0.4:1。碲相对于硒的摩尔比(Te:Se)可大于或等于约0.5:1。碲相对于硒的摩尔比(Te:Se)可大于或等于约1:1、大于或等于约1.1:1、或者大于或等于约1.2:1。碲相对于硒的摩尔比(Te:Se)可大于或等于约1.3:1、或者大于或等于约1.5:1。碲相对于硒的摩尔比(Te:Se)可大于或等于约1.9:1。碲相对于硒的摩尔比(Te:Se)可大于或等于约2:1。