[发明专利]芯壳量子点、其制造方法、量子点群、量子点复合物、量子点组合物和显示器件

权利要求书

1.芯壳量子点，包括：

包括第一半导体纳米晶体的芯，所述第一半导体纳米晶体包括锌、碲、和硒；和

设置在所述芯上的半导体纳米晶体壳，所述半导体纳米晶体壳包括

锌；以及

硒、硫、或其组合，

其中所述芯壳量子点不包括镉、铅、汞、或其组合，

其中所述芯壳量子点进一步包括氯，

其中在所述芯壳量子点中，氯相对于碲的摩尔比大于或等于0.01:1，和

其中所述芯壳量子点的量子效率大于或等于10％。

2.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中在所述芯壳量子点中，碲相对于硒的摩尔比大于0.4:1。

3.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中在所述芯壳量子点中，碲相对于硒的摩尔比小于或等于4:1。

4.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中在所述芯壳量子点中，氯相对于碲的摩尔比大于或等于0.05:1。

5.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯不包括包含铟或镓的III-V族化合物。

6.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点进一步包括铝、镓、锂、氟、或其组合。

7.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述第一半导体纳米晶体包括ZnTe_xSe_1-x，其中x大于或等于0.4且小于或等于0.9。

8.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述半导体纳米晶体壳包括硒和硫，并且硫相对于硒的摩尔比大于0:1且小于或等于4:1。

9.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点的最大发光峰波长在大于470纳米且小于或等于600纳米的范围内。

10.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点的最大光致发光峰具有小于或等于40纳米的半宽度。

11.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点的量子效率大于或等于20％。

12.如权利要求1所述的芯壳量子点，其中所述芯壳量子点包括有机配体，并且所述有机配体包括RCOOH、RNH₂、R₂NH、R₃N、RSH、RH₂PO、R₂HPO、R₃PO、RH₂P、R₂HP、R₃P、ROH、RCOOR'、RHPO(OH)、RPO(OH)₂、R₂POOH、聚合物有机配体、或其组合，其中R和R'相同或不同并且各自独立地为取代或未取代的C1-C40脂族烃基团、取代或未取代的C6-C40芳族烃基团、或其组合。

13.量子点群，包括多个如权利要求1-12任一项所述的芯壳量子点，

其中多个所述芯壳量子点的平均圆度大于或等于0.70；或

其中多个所述芯壳量子点的平均实度大于或等于0.8。

14.如权利要求13所述的量子点群，其中多个所述芯壳量子点的平均尺寸大于或等于7纳米。