[发明专利]用于过温保护的温差检测电路

说明书

本发明涉及集成电路技术领域，提供一种用于过温保护的温差检测电路，包括：温度检测电路和温差比较电路；所述温度检测电路用于检测第一检测点的温度；所述温差比较电路用于检测第二检测点的温度并将所述第二检测点的温度与所述第一检测点的温度进行比较，得到所述第二检测点与所述第一检测点的温度差。本发明能够实现两个及以上发热点的过温度保护和过温差保护。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体地涉及一种用于过温保护的温差检测电路。

背景技术

随着芯片集成度越来越高，性能越来越好，功耗越来越大，使得集成电路在长时间使用或短路等异常情况下，芯片温度会迅速升高。高温会对芯片的稳定性产生影响，过热会导致芯片无法正常工作甚至损坏其电子器件，在高性能集成电路中过温保护尤其重要。

在功率开关芯片中，由于应用场景复杂，可能会发生功率开关负载短路的情况，电源电压会直接接入开启的功率开关，瞬间大电流导致功率开关部位产生剧烈的发热。在功率开关芯片中，过温保护电路被用来保护芯片免于受到过电流发热所导致的温度破坏。现有的过温保护电路通常只能检测芯片中一个发热点的温度，不能对比芯片中不同发热点的温差，只有在检测的那一个发热点的温度达到设定值时才会触发并工作，不能实现过温差保护；然而，此时芯片不同部位的发热点的温度是不一致的，其它发热点过热(超过设定值)不能触发过温保护，将导致芯片受到热破坏。

发明内容

本发明实施方式的目的是提供一种用于过温保护的温差检测电路，以实现两个及以上发热点的过温度保护和过温差保护。

为了实现上述目的，本发明提供一种用于过温保护的温差检测电路，包括：温度检测电路和温差比较电路；所述温度检测电路用于检测第一检测点的温度；所述温差比较电路用于检测第二检测点的温度并将所述第二检测点的温度与所述第一检测点的温度进行比较，得到所述第二检测点与所述第一检测点的温度差。

进一步地，所述温度检测电路包括：第一二极管组件、第一比较器以及第一MOS晶体管；所述第一二极管组件的正极与所述第一比较器的同相输入端连接，所述第一二极管组件的负极接地，所述第一二极管组件置于所述第一检测点；所述第一比较器的反相输入端与所述第一MOS晶体管的漏极连接，所述第一比较器的输出端与所述第一MOS晶体管的栅极连接，所述第一MOS晶体管的源极接地。

进一步地，所述第一二极管组件包括依次串联连接的第一二极管、第二二极管以及第三二极管，所述第一二极管的正极与所述第一比较器的同相输入端连接并连接到电源，所述第三二极管的负极接地。

进一步地，所述第一MOS晶体管的源极通过第一电阻与其漏极相连，所述第一MOS晶体管的漏极通过第二电阻与所述第一比较器的反相输入端连接，所述第一MOS晶体管的漏极通过第二电阻和第三电阻连接到开关。

进一步地，所述温差比较电路包括：第二二极管组件、第二比较器、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管以及第四MOS晶体管；所述第二二极管组件的正极与所述第二MOS晶体管的栅极连接，所述第二二极管组件的负极接地，所述第二二极管组件置于所述第二检测点；所述第二MOS晶体管的漏极与所述第三MOS晶体管的漏极连接并连接到电源，所述第二MOS晶体管的源极与所述第四MOS晶体管的漏极连接并连接到所述第二比较器的反相输入端；所述第三MOS晶体管的栅极与所述温度检测电路的第一比较器的同相输入端连接，所述第三MOS晶体管的源极与所述第二比较器的同相输入端连接；所述第四MOS晶体管的栅极与所述第二比较器的输出端连接，所述第四MOS晶体管的源极接地。

进一步地，所述第二二极管组件包括依次串联连接的第四二极管、第五二极管以及第六二极管，所述第四二极管的正极与所述第二MOS晶体管的栅极连接并连接到电源，所述第六二极管的负极接地。

进一步地，所述第二MOS晶体管的源极通过第一可调电阻与所述第四MOS晶体管的漏极连接。