[发明专利]用于过温保护的温差检测电路

权利要求书

1.一种用于过温保护的温差检测电路，其特征在于，包括：温度检测电路和温差比较电路；

所述温度检测电路用于检测第一检测点的温度；

所述温差比较电路用于检测第二检测点的温度并将所述第二检测点的温度与所述第一检测点的温度进行比较，得到所述第二检测点与所述第一检测点的温度差；

所述温度检测电路包括：第一二极管组件、第一比较器以及第一MOS晶体管；所述第一二极管组件的正极与所述第一比较器的同相输入端连接，所述第一二极管组件的负极接地，所述第一二极管组件置于所述第一检测点；所述第一比较器的反相输入端与所述第一MOS晶体管的漏极连接，所述第一比较器的输出端与所述第一MOS晶体管的栅极连接，所述第一MOS晶体管的源极接地；所述第一MOS晶体管的源极通过第一电阻与其漏极相连，所述第一MOS晶体管的漏极通过第二电阻与所述第一比较器的反相输入端连接，所述第一MOS晶体管的漏极通过第二电阻和第三电阻连接到开关；

所述温差比较电路包括：第二二极管组件、第二比较器、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管以及第四MOS晶体管；所述第二二极管组件的正极与所述第二MOS晶体管的栅极连接，所述第二二极管组件的负极接地，所述第二二极管组件置于所述第二检测点；所述第二MOS晶体管的漏极与所述第三MOS晶体管的漏极连接并连接到电源，所述第二MOS晶体管的源极与所述第四MOS晶体管的漏极连接并连接到所述第二比较器的反相输入端；所述第三MOS晶体管的栅极与所述温度检测电路的第一比较器的同相输入端连接，所述第三MOS晶体管的源极与所述第二比较器的同相输入端连接；所述第四MOS晶体管的栅极与所述第二比较器的输出端连接，所述第四MOS晶体管的源极接地；所述第二MOS晶体管的源极通过第一可调电阻与所述第四MOS晶体管的漏极连接。

2.根据权利要求1所述的用于过温保护的温差检测电路，其特征在于，所述第一二极管组件包括依次串联连接的第一二极管、第二二极管以及第三二极管，所述第一二极管的正极与所述第一比较器的同相输入端连接并连接到电源，所述第三二极管的负极接地。

3.根据权利要求1所述的用于过温保护的温差检测电路，其特征在于，所述第二二极管组件包括依次串联连接的第四二极管、第五二极管以及第六二极管，所述第四二极管的正极与所述第二MOS晶体管的栅极连接并连接到电源，所述第六二极管的负极接地。

4.一种用于过温保护的温差检测电路，其特征在于，包括：温度检测电路和温差比较电路；

所述温度检测电路用于检测参照点的温度；

所述温差比较电路包括第一温差比较电路和第二温差比较电路；所述第一温差比较电路用于检测第一检测点的温度并将所述第一检测点的温度与所述参照点的温度进行比较，得到所述第一检测点与所述参照点的温度差；所述第二温差比较电路用于检测第二检测点的温度并将所述第二检测点的温度与所述参照点的温度进行比较，得到所述第二检测点与所述参照点的温度差；

所述温度检测电路包括第一二极管组件，所述第一二极管组件的正极连接电源，所述第一二极管组件的负极接地，所述第一二极管组件置于所述参照点；

所述第一温差比较电路包括：第二二极管组件、第一比较器、第一MOS晶体管、第二MOS晶体管以及第三MOS晶体管；所述第二二极管组件的正极与所述第二MOS晶体管的栅极连接并连接到电源，所述第二二极管组件的负极接地，所述第二二极管组件置于所述第一检测点；所述第二MOS晶体管的源极与所述第一比较器的同相输入端连接，所述第二MOS晶体管的漏极与所述第一MOS晶体管的漏极连接并连接电源；所述第一MOS晶体管的栅极与所述第一二极管组件的正极连接，所述第一MOS晶体管的源极与所述第一比较器的反相输入端和所述第三MOS晶体管的漏极连接，所述第三MOS晶体管的栅极与所述第一比较器的输出端连接，所述第三MOS晶体管的源极接地；所述第一MOS晶体管的源极通过第一可调电阻与所述第三MOS晶体管的漏极连接；

所述第二温差比较电路包括：第三二极管组件、第二比较器、第四MOS晶体管、第五MOS晶体管以及第六MOS晶体管；所述第三二极管组件的正极与所述第五MOS晶体管的栅极连接并连接到电源，所述第三二极管组件的负极接地，所述第三二极管组件置于所述第二检测点；所述第五MOS晶体管的源极与所述第二比较器的同相输入端连接，所述第五MOS晶体管的漏极与所述第四MOS晶体管的漏极连接并连接电源；所述第四MOS晶体管的栅极与所述第一二极管组件的正极连接，所述第四MOS晶体管的源极与所述第二比较器的反相输入端和所述第六MOS晶体管的漏极连接，所述第六MOS晶体管的栅极与所述第二比较器的输出端连接，所述第六MOS晶体管的源极接地；所述第四MOS晶体管的源极通过第二可调电阻与所述第六MOS晶体管的漏极连接。