[发明专利]一种薄膜及其制备方法在审

专利信息
申请号: 202011099112.9 申请日: 2020-10-14
公开(公告)号: CN112175538A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 麻海波;王海旭;郭参;陈军 申请(专利权)人: 深圳市飞荣达科技股份有限公司
主分类号: C09J7/29 分类号: C09J7/29;C09J7/38;C09J9/02;C09J123/02;C09J191/06;C09J11/04;C09J183/04;C09J11/08
代理公司: 深圳市智胜联合知识产权代理有限公司 44368 代理人: 齐文剑
地址: 518000 广东省深圳市光明区玉塘街道田*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 薄膜 及其 制备 方法
【说明书】:

本申请提供了一种薄膜及其制备方法,包括金属薄膜层、导电压敏胶带、相变导热胶、绝缘胶带;所述导电压敏胶带包括压敏胶粘剂、导电布、导电填充粉、交联助剂、流平剂、防沉剂、稀释溶剂;所述相变导热胶包括石蜡、高分子材料、导热填充粉、偶联剂、所述稀释溶剂。通过薄膜取代传统屏蔽罩的上盖,厚度可以薄至20um,变得更加轻薄,使用相变导热胶涂覆在铜箔上使得薄膜具有优良的导热功能,且薄膜具有屏蔽功能。

技术领域

本申请涉及芯片领域,特别是一种薄膜及其制备方法。

背景技术

目前,电子设备已经成为人们不可或缺的通信工具,电子设备轻薄化是发展的一个重要方向,电子设备的厚度通常受限于电子设备内部零部件的厚度,减小电子设备内部零部件的厚度即可减小电子设备厚度,其中屏蔽罩也成为待优化的电子设备零部件之一。

传统的芯片屏蔽罩多采用不锈钢或者洋白铜制造成一体式的屏蔽罩,实际使用时先在芯片上涂抹硅脂,然后再扣上屏蔽罩。现有屏蔽结构,包括微型电子的芯片器件,所述微型电子的芯片器件的表面设置用于电磁屏蔽的金属屏蔽片,且所述金属屏蔽片与所述微型电子的芯片器件之间设有用于导热的固化导热涂层,同时通过所述固化导热涂层将所述金属屏蔽片与所述微型电子的芯片器件复合为一体集成结构。

如今科技发展,电子设备逐渐轻薄化,传统屏蔽罩因厚重无法满足需求。

发明内容

鉴于所述问题,提出了本申请以便提供克服所述问题或者至少部分地解决所述问题的一种薄膜及其制备方法:

一种薄膜,包括金属薄膜层、导电压敏胶带、相变导热胶、绝缘胶带;所述导电压敏胶带包括压敏胶粘剂、导电布、导电填充粉、交联助剂、流平剂、防沉剂、稀释溶剂;所述相变导热胶包括石蜡、高分子材料、导热填充粉、偶联剂、所述稀释溶剂。

优选地,所述压敏胶粘剂包括有机硅压敏胶、丙烯酸压敏胶、天然橡胶压敏胶中的一种或多种组成。

优选地,所述导电布厚度为1-100um。

优选地,所述导电填充粉包括银纳米粉、石墨烯、银粉、镍包石墨、镍包铝、镍包银、银包铜、银包镍、银包铝中的一种或多种组成,所述导电填充粉粒径为0.5-120um。

优选地,所述稀释溶剂包括甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、低分子硅烷溶剂中的一种或多种组成。

优选地,所述石蜡包括微晶石蜡、液体石蜡、聚乙烯蜡中一种或多种组成。

优选地,所述高分子材料包括硅胶、聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一种或多种组成。

优选地,所述导热填充粉包括氧化铝粉、铝粉,氮化铝粉、氧化锌、氮化硼、氢氧化镁、氢氧化铝中一种或多种组成。

优选地,所述偶联剂包括硅烷偶联剂,酞酸酯、铝酸脂中一种或多种组成。

优选地,所述绝缘胶带包括聚对苯二甲酸乙二醇酯胶带或聚酰亚胺胶带,所述绝缘胶带的厚度为1-50um。

优选地,所述金属薄膜层包括压延铜箔、电解铜箔、铝箔、镀金铜箔、银箔中的一种,所述金属薄膜层厚度为1-50um。

为实现本发明,还提供一种薄膜制备方法,包括如下步骤:

将石蜡、高分子材料、导热填充粉、偶联剂、稀释溶剂混合,搅拌均匀得到相变导热胶;

将所述相变导热胶涂覆在金属薄膜层中心位置,所述相变导热胶的涂覆尺寸为所述金属薄膜按照比例缩小,所述相变导热胶与所述金属薄膜的比例范围为1:3-1:2;

将绝缘胶带冲切为所述金属薄膜按照比例缩小的尺寸,所述绝缘胶带与所述金属薄膜比例范围为22:30-29:30,在所述绝缘胶带中心冲切出与所述相变导热胶相适配的孔,将所述绝缘胶带定位转贴所述金属薄膜层相应位置;

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