[发明专利]一种薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜，所述薄膜用于芯片的屏蔽和导热，其特征在于，包括金属薄膜层、导电压敏胶带、相变导热胶、绝缘胶带；

所述导电压敏胶带包括压敏胶粘剂、导电布、导电填充粉、交联助剂、流平剂、防沉剂、稀释溶剂；

所述相变导热胶包括石蜡、高分子材料、导热填充粉、偶联剂、所述稀释溶剂。

2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述压敏胶粘剂包括有机硅压敏胶、丙烯酸压敏胶、天然橡胶压敏胶中的一种或多种组成。

3.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述导电布厚度为1-100um。

4.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述导电填充粉包括银纳米粉、石墨烯、银粉、镍包石墨、镍包铝、镍包银、银包铜、银包镍、银包铝中的一种或多种组成，所述导电填充粉粒径为0.5-120um。

5.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述稀释溶剂包括甲苯、二甲苯、乙酸乙酯、低分子硅烷溶剂中的一种或多种组成。

6.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述石蜡包括微晶石蜡、液体石蜡、聚乙烯蜡中一种或多种组成。

7.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述高分子材料包括硅胶、聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯共聚物中的一种或多种组成。

8.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述导热填充粉包括氧化铝粉、铝粉，氮化铝粉、氧化锌、氮化硼、氢氧化镁、氢氧化铝中一种或多种组成。

9.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述偶联剂包括硅烷偶联剂，酞酸酯、铝酸脂中一种或多种组成。

10.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述绝缘胶带包括聚对苯二甲酸乙二醇酯胶带或聚酰亚胺胶带，所述绝缘胶带的厚度为1-50um。

11.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述金属薄膜层包括压延铜箔、电解铜箔、铝箔、镀金铜箔、银箔中的一种，所述金属薄膜层厚度为1-50um。

12.一种薄膜制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

将石蜡、高分子材料、导热填充粉、偶联剂、稀释溶剂混合，搅拌均匀得到相变导热胶；

将所述相变导热胶涂覆在金属薄膜层中心位置，所述相变导热胶的涂覆尺寸为所述金属薄膜按照比例缩小，所述相变导热胶与所述金属薄膜的比例范围为1：3-1：2；

将绝缘胶带冲切为所述金属薄膜按照比例缩小的尺寸，所述绝缘胶带与所述金属薄膜比例范围为22：30-29：30，在所述绝缘胶带中心冲切出与所述相变导热胶相适配的孔，将所述绝缘胶带定位转贴所述金属薄膜层相应位置；

将压敏胶粘剂、导电填充粉、交联助剂、流平剂、防沉剂、所述稀释溶剂混合搅拌均匀，得到导电浆料，使用立式涂布机将所述导电浆料涂布在所述导电布的两面，经过烘道烘干，得到导电压敏胶带；

将所述导电压敏胶带的尺寸冲切成所述金属薄膜的尺寸，所述导电压敏胶带中心冲切成与所述绝缘胶带相适配的孔，将所述导电压敏胶带定位转贴所述金属薄膜层相应位置，得到薄膜。