[发明专利]半导体器件的制备方法及制备装置

说明书

本发明提供一种半导体器件的制备方法及制备装置。半导体器件的制备方法包括：提供独立设置的刻蚀腔室与加热腔室；将半导体器件输送至所述刻蚀腔室内进行刻蚀；将刻蚀后的所述半导体器件输送至所述加热腔室内进行加热。本发明解决了在半导体器件刻蚀结束后，通过加热模块对刻蚀腔室进行升温，而升温过程将会浪费大量的时间，导致半导体器件的生产效率较低的技术问题。

技术领域

本发明涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种半导体器件的制备方法及制备装置。

背景技术

传统的半导体器件在刻蚀之后，需要对半导体器件进行预清洁。传统的方法为在刻蚀腔室内集成加热模块，这样在半导体器件刻蚀结束后，通过加热模块对刻蚀腔室进行升温，而升温过程将会浪费大量的时间，导致半导体器件的生产效率较低。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半导体器件的制备方法及制备装置，以解决在半导体器件刻蚀结束后，通过加热模块对刻蚀腔室进行升温，而升温过程将会浪费大量的时间，导致半导体器件的生产效率较低的技术问题。

本发明提供一种半导体器件的制备方法，包括：提供独立设置的刻蚀腔室与加热腔室；将半导体器件输送至所述刻蚀腔室内进行刻蚀；将刻蚀后的所述半导体器件输送至所述加热腔室内进行加热。

其中，所述制备方法还包括：提供独立设置的冷却腔室；将加热后的所述半导体器件输送至所述冷却腔室内进行冷却。

其中，所述半导体器件的刻蚀时间为第一时间，所述半导体器件的加热时间为第二时间，所述半导体器件的冷却时间为第三时间，所述第一时间、所述第二时间以及所述第三时间中的任意两个时间的比值在预设比值范围内。

其中，所述预设比值范围为0.9-1.1。

其中，所述加热腔室内的加热温度大于等于300°。

其中，所述冷却腔室内为惰性气氛。

其中，所述半导体器件为三维存储器，“将半导体器件输送至所述刻蚀腔室内进行刻蚀”包括：对所述半导体器件进行刻蚀，以在所述半导体器件上形成沟道孔；所述半导体器件在所述冷却腔室内冷却之后，所述制备方法还包括：在所述沟道孔内形成外延结构。

本发明提供一种半导体器件的制备装置，包括：

独立设置的刻蚀腔室与加热腔室，所述刻蚀腔室用于对半导体器件进行刻蚀，所述加热装置用于对刻蚀后的所述半导体器件进行加热。

其中，所述制备装置还包括独立设置的冷却腔室，所述冷却腔室用于对加热后的所述半导体器件进行冷却。

其中，所述制备装置还包括第一惰性输送管路和第二惰性输送管路，所述第一惰性输送管路连通所述刻蚀腔室与所述加热腔室，所述第二惰性输送管路连通所述加热腔室和所述冷却腔室，刻蚀后的所述半导体器件通过所述第一惰性输送管路输送至所述加热腔室，加热后的所述半导体器件通过所述第二惰性输送管路输送至所述冷却腔室。

综上所述，本申请通过设置独立的刻蚀腔室与加热腔室，可以使得刻蚀腔室只进行半导体器件的刻蚀过程，加热腔室只进行半导体器件的加热过程，加热腔室可以长期保持在需要加热的温度。这就无需对刻蚀腔室既进行加热，还进行冷却，避免了对刻蚀腔室反复进行升温和降温，节约了刻蚀腔室的加热升温时间和冷却降温时间，这就提高了半导体器件的生产效率。而且本申请也无需在刻蚀腔室内集成加热模块，刻蚀腔室的结构简单。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是传统的半导体器件的制备方法。