[发明专利]半导体器件的制备方法及制备装置在审
| 申请号： | 202011098039.3 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN112234067A | 公开（公告）日： | 2021-01-15 |
| 发明（设计）人： | 邱宇渊 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11568 | 分类号： | H01L27/11568;H01L27/11582;H01L21/67 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 熊永强 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 装置 | ||
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
提供独立设置的刻蚀腔室与加热腔室；
将半导体器件输送至所述刻蚀腔室内进行刻蚀；
将刻蚀后的所述半导体器件输送至所述加热腔室内进行加热。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
提供独立设置的冷却腔室；
将加热后的所述半导体器件输送至所述冷却腔室内进行冷却。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述半导体器件的刻蚀时间为第一时间，所述半导体器件的加热时间为第二时间，所述半导体器件的冷却时间为第三时间，所述第一时间、所述第二时间以及所述第三时间中的任意两个时间的比值在预设比值范围内。
4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述预设比值范围为0.9-1.1。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述加热腔室内的加热温度大于等于300°。
6.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述冷却腔室内为惰性气氛。
7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述半导体器件为三维存储器，“将半导体器件输送至所述刻蚀腔室内进行刻蚀”包括：
对所述半导体器件进行刻蚀，以在所述半导体器件上形成沟道孔；
所述半导体器件在所述冷却腔室内冷却之后，所述制备方法还包括：
在所述沟道孔内形成外延结构。
8.一种半导体器件的制备装置，其特征在于，包括：
独立设置的刻蚀腔室与加热腔室，所述刻蚀腔室用于对半导体器件进行刻蚀，所述加热装置用于对刻蚀后的所述半导体器件进行加热。
9.根据权利要求8所述的制备装置，其特征在于，所述制备装置还包括独立设置的冷却腔室，所述冷却腔室用于对加热后的所述半导体器件进行冷却。
10.根据权利要求9所述的制备装置，其特征在于，所述制备装置还包括第一惰性输送管路和第二惰性输送管路，所述第一惰性输送管路连通所述刻蚀腔室与所述加热腔室，所述第二惰性输送管路连通所述加热腔室和所述冷却腔室，刻蚀后的所述半导体器件通过所述第一惰性输送管路输送至所述加热腔室，加热后的所述半导体器件通过所述第二惰性输送管路输送至所述冷却腔室。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
