[发明专利]一种钨硅靶坯的制备方法

权利要求书

1.一种钨硅靶坯的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤：

（1）将硅化钨粉和硅粉进行混合，得到混粉；所述混合中采用硅球进行干混；所述混合中硅球的添加量为粉料质量的8-12%；

所述硅化钨粉和硅粉的质量比为(7-15):1；所述硅化钨粉的粒度为45-70μm；所述硅粉的粒度＜10μm；

（2）将步骤（2）得到混粉进行热压烧结，得到所述钨硅靶坯；

所述热压烧结开始时进行抽真空至真空度＜40Pa；所述热压烧结包括依次进行的第一升温、第二升温和加压处理；所述第一升温为以8-15℃/min升温至1100-1320℃，保温时间为1-2h；所述第二升温为以3-7℃/min升温至1340-1500℃，保温时间为1-2h；所述加压处理的温度与所述第二升温的保温温度相同；所述加压处理的压力为30-60MPa，时间为1-2h。

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（1）所述混合的时间≥24h。

3.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述热压烧结中粉末加入模具后粉末的平面度＜5mm。

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述粉末在模具中压实后的平面度＜0.5mm。

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤（2）所述热压烧结结束后进行随炉冷却。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述随炉冷却中通保护气体。

7.如权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述保护气体通入的终点为表压P为-0.08MPa≤P≤-0.06MPa。