[发明专利]三维存储器的封装连接结构的形成方法及三维存储器

权利要求书

1.一种三维存储器的封装连接结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供三维存储器，所述三维存储器的第一表面具有裸露的焊盘结构；

在所述三维存储器的第一表面上形成第一介电层，所述第一介电层至少覆盖所述焊盘结构；

在所述第一介电层上形成第二介电层，所述第二介电层至少覆盖所述第一介电层，且刻蚀所述第二介电层时所述第二介电层的刻蚀速率高于所述第一介电层的刻蚀速率；

进行第一次刻蚀，去除待刻蚀区上的第二介电层，所述第一次刻蚀停留在所述第一介电层上；

进行第二次刻蚀，去除所述待刻蚀区上的第一介电层及所述待刻蚀区上的焊盘结构的一部分，所述第二次刻蚀停留在所述焊盘结构中，在所述焊盘结构中形成一个凹槽。

2.根据权利要求1所述的三维存储器的封装连接结构的形成方法，其特征在于，所述待刻蚀区指所述焊盘结构在所述三维存储器的第一表面的垂直方向上的投影的局部区域。

3.根据权利要求2所述的三维存储器的封装连接结构的形成方法，其特征在于，所述三维存储器的第一表面具有多个所述焊盘结构，在所述三维存储器的第一表面上形成所述第一介电层的步骤包括：

至少对所述三维存储器的第一表面进行清洗；

在所述三维存储器的第一表面上沉积形成所述第一介电层，所述第一介电层至少覆盖多个所述焊盘结构。

4.根据权利要求3所述的三维存储器的封装连接结构的形成方法，其特征在于，在所述第一介电层上形成所述第二介电层的步骤包括：

至少对所述第一介电层的裸露表面进行清洗；

在所述第一介电层上沉积形成所述第二介电层。

5.根据权利要求4所述的三维存储器的封装连接结构的形成方法，其特征在于，在形成所述第二介电层之后，在进行所述第一次刻蚀之前，所述三维存储器的封装连接结构的形成方法还包括：

至少对所述第二介电层的裸露表面进行清洗。

6.根据权利要求5所述的三维存储器的封装连接结构的形成方法，其特征在于，进行所述第一次刻蚀的步骤包括：

沿着所述三维存储器的第一表面的垂直方向，利用第一等离子体进行刻蚀，去除多个所述待刻蚀区上的第二介电层；

其中，多个所述待刻蚀区与多个所述焊盘结构一一对应。

7.根据权利要求6所述的三维存储器的封装连接结构的形成方法，其特征在于，在进行所述第一次刻蚀之后，在进行所述第二次刻蚀之前，所述三维存储器的封装连接结构的形成方法还包括：

至少对所述第一次刻蚀的刻蚀区域进行清洗。

8.根据权利要求7所述的三维存储器的封装连接结构的形成方法，其特征在于，进行所述第二次刻蚀的步骤包括：

沿着所述三维存储器的第一表面的垂直方向，利用第二等离子体进行刻蚀，去除多个所述待刻蚀区上的第一介电层，以及去除多个所述待刻蚀区上的焊盘结构的一部分，在每个所述焊盘结构中分别形成一个所述凹槽。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的三维存储器的封装连接结构的形成方法，其特征在于，所述焊盘结构包括金属阻挡层、金属焊盘层以及焊盘阻挡层，所述金属阻挡层与所述三维存储器中的金属互连结构电连接，所述金属焊盘层设置在所述金属阻挡层上，所述焊盘阻挡层设置在所述金属焊盘层上，所述第一介电层至少设置在所述焊盘阻挡层上，所述第二次刻蚀停留在所述金属焊盘层中。

10.根据权利要求1～8中任一项所述的三维存储器的封装连接结构的形成方法，其特征在于，在所述第二次刻蚀之后，所述三维存储器的封装连接结构的形成方法还包括：

至少对所述第二次刻蚀的刻蚀区域进行清洗；

在所述凹槽中形成金属连接结构，通过所述金属连接结构将所述焊盘结构电引出。

11.根据权利要求10所述的三维存储器的封装连接结构的形成方法，其特征在于，所述金属连接结构至少包括：金属线结构、金属球结构。