[发明专利]一种mini-LED芯片及其制作方法

说明书

本发明提供了一种mini‑LED芯片及其制作方法，通过设置隔离层、欧姆接触层以及反射镜，其中，所述隔离层设置于所述外延叠层的一侧侧壁；在所述外延叠层的一侧侧壁设置隔离层；所述欧姆接触层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面，并延伸至所述隔离层的表面；所述反射镜层叠于所述欧姆接触层背离所述第二型半导体层的一侧表面；同时，第二电极位于侧壁且与位于侧壁的欧姆接触层连接；第一电极位于另一侧侧壁且其底面与所述第一型半导体层形成欧姆接触。从而实现了侧壁电极的结构设计，避免电极挡光，使LED芯片的发光面积增大；同时，通过开孔从衬底背面沉积形成第一电极和第二电极，有利于电极打线时的精准对位控制。

技术领域

本发明涉及发光二极管领域，尤其涉及一种mini-LED芯片及其制作方法。

背景技术

随着发光二极管的快速发展，LED的应用日新月异，特别是LED在显示技术的发展。同时，由于LED显示屏的高分辨率的需要，LED芯片的间距及芯片的尺寸也越来越小；使LED的电极及打线变成行业的技术难点。目前，通常采用正面或背面芯片电极结构及常规的打线或键合技术。然而，正面或背面的芯片电极结构，虽然可靠性好、成本低，但在小尺寸芯片下，电极挡光问题凸显，且在LED间距越来越小，打线和键合都变得不容易，而且短路风险也加大，使得LED发光效率及可靠性降低。

有鉴于此，本发明人专门设计了一种mini-LED芯片及其制作方法，本案由此产生。

发明内容

本发明的目的在于提供一种mini-LED芯片及其制作方法，以解决因LED阵列单元间距小造成在工艺实施过程引起的短路问题。

为了实现上述目的，本发明采用的技术方案如下：

一种mini-LED芯片，包括：衬底，及设置于所述衬底表面且通过沟槽相互隔离的若干个LED阵列单元；所述LED阵列单元包括：

外延叠层，所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

隔离层，所述隔离层设置于所述外延叠层的一侧侧壁；

欧姆接触层，所述欧姆接触层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面，并延伸至所述隔离层的表面；

反射镜，所述反射镜层叠于所述欧姆接触层背离所述第二型半导体层的一侧表面；

第二电极，以被保持在第二孔洞的方式沉积形成于所述外延叠层侧壁，且与位于侧壁的欧姆接触层连接；

第一电极，以被保持在第一孔洞的方式沉积形成于所述外延叠层的另一侧侧壁，且所述第一电极的底面与所述第一型半导体层形成欧姆接触。

优选地，所述隔离层包括AlN隔离层。

优选地，所述反射镜包括金属反射镜。

优选地，所述第二电极的底面与所述金属反射镜形成电连接。

优选地，所述金属反射镜延伸至侧壁的欧姆接触层的表面；所述第二电极与位于侧壁的金属反射镜形成电连接。

优选地，还包括保护层，所述保护层覆盖所述反射镜及所述外延叠层的裸露区域。

本发明还提供了一种mini-LED芯片的制作方法，所述制作方法包括如下步骤：

步骤S01、提供一衬底，并在所述衬底的背面通过蚀刻形成交替排列且相互远离设置的第一阵列和第二阵列，所述第一阵列包括若干呈直线排布的第一孔洞，所述第一阵列包括若干呈直线排布的第二孔洞，且所述第二孔洞贯穿所述衬底，所述第一孔洞裸露部分所述衬底；

步骤S02、在各所述第二孔洞侧壁形成二氧化硅；