[发明专利]一种mini-LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种mini-LED芯片，包括：衬底，及设置于所述衬底表面且通过沟槽相互隔离的若干个LED阵列单元；其特征在于，所述LED阵列单元包括：

外延叠层，所述外延叠层至少包括沿第一方向依次堆叠的第一型半导体层、有源层、第二型半导体层；所述第一方向垂直于所述衬底，并由所述衬底指向所述外延叠层；

隔离层，所述隔离层设置于所述外延叠层的一侧侧壁；

欧姆接触层，所述欧姆接触层层叠于所述第二型半导体层背离所述有源层的一侧表面，并延伸至所述隔离层的表面；

反射镜，所述反射镜层叠于所述欧姆接触层背离所述第二型半导体层的一侧表面；

第二电极，以被保持在第二孔洞的方式沉积形成于所述外延叠层侧壁，且与位于侧壁的欧姆接触层直接或间接地形成连接；

第一电极，以被保持在第一孔洞的方式沉积形成于所述外延叠层的另一侧侧壁，且所述第一电极的底面与所述第一型半导体层形成欧姆接触。

2.根据权利要求1所述的mini-LED芯片，其特征在于，所述隔离层包括AlN隔离层。

3.根据权利要求1或2所述的mini-LED芯片，其特征在于，所述反射镜包括金属反射镜。

4.根据权利要求3所述的mini-LED芯片，其特征在于，所述第二电极的底面与所述金属反射镜形成电连接。

5.根据权利要求3所述的mini-LED芯片，其特征在于，所述金属反射镜延伸至侧壁的欧姆接触层的表面；所述第二电极与位于侧壁的金属反射镜形成电连接。

6.根据权利要求1所述的mini-LED芯片，其特征在于，还包括保护层，所述保护层覆盖所述反射镜及所述外延叠层的裸露区域。

7.一种mini-LED芯片的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括如下步骤：

步骤S01、提供一衬底，并在所述衬底的背面通过蚀刻形成交替排列且相互远离设置的第一阵列和第二阵列，所述第一阵列包括若干呈直线排布的第一孔洞，所述第一阵列包括若干呈直线排布的第二孔洞，且所述第二孔洞贯穿所述衬底，所述第一孔洞裸露部分所述衬底；

步骤S02、在各所述第二孔洞侧壁形成二氧化硅；

步骤S03、层叠一外延叠层于所述衬底的正面，所述外延叠层至少包括沿生长方向依次堆叠第一型半导体层、有源层以及第二型半导体层；

步骤S04、腐蚀去除所述第二孔洞侧壁的二氧化硅；

步骤S05、在所述第二型半导体层表面形成二氧化硅后，采用PVD工艺在二氧化硅表面以及所述第二孔洞侧壁形成AlN隔离层；

步骤S06、腐蚀去除所述第二型半导体层表面的二氧化硅及AlN隔离层，使所述第二型半导体层裸露；

步骤S07、沉积一欧姆接触层，其覆盖所述第二型半导体层表面并延伸至所述第二孔洞的侧壁；

步骤S08、对所述衬底的第一孔洞进行二次蚀刻，使其显露部分所述第一型半导体层；

步骤S09、在所述欧姆接触层背离所述第二型半导体层的一侧表面沉积形成反射镜；

步骤S10、沉积形成第一电极和第二电极，所述第二电极以被保持在第二孔洞的方式沉积形成于所述外延叠层侧壁，且与位于侧壁的欧姆接触层连；所述第一电极以被保持在第一孔洞的方式沉积形成于所述外延叠层的另一侧侧壁，且所述第一电极的底面与所述第一型半导体层形成欧姆接触；

步骤S11、通过ICP蚀刻出切割沟槽，形成相互隔离的若干个LED阵列单元。

8.根据权利要求7所述的mini-LED芯片的制作方法，其特征在于，继所述步骤S11后，执行如下步骤：

步骤S12、在外延叠层裸露区域以及反射镜背离所述欧姆接触层的一侧表面沉积形成保护层。

9.根据权利要求7所述的mini-LED芯片的制作方法，其特征在于，所述反射镜包括金属反射镜，所述第二电极的底面与所述金属反射镜形成电连接。