[发明专利]光波导制备方法及光波导在审
| 申请号： | 202011094131.2 | 申请日： | 2020-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN111983752A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 杜凯凯;赵东峰;李琨;臧法珩;赵恩;程鑫;杨镇源 | 申请（专利权）人： | 歌尔股份有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/124 | 分类号： | G02B6/124;G02B6/136 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 关向兰 |
| 地址： | 261031 山东省潍*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 波导 制备 方法 | ||
1.一种光波导制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，所述衬底上形成有待刻蚀基体，所述待刻蚀基体为无机材料；
于所述待刻蚀基体一侧涂覆光刻胶；
对所述光刻胶进行纳米压印，以形成纳米压印掩膜；以及
采用干法刻蚀对所述纳米压印掩膜和所述待刻蚀基体进行刻蚀，以除去纳米压印掩膜，并在所述待刻蚀基体上形成目标光栅。
2.如权利要求1所述的光波导制备方法，其特征在于，所述干法刻蚀的刻蚀选择比为1。
3.如权利要求1所述的光波导制备方法，其特征在于，在执行所述提供一衬底，所述衬底上形成有待刻蚀基体，所述待刻蚀基体为无机材料之后，所述光波导制备方法还包括：
于所述衬底上形成薄膜层，所述薄膜层形成所述待刻蚀基体，所述薄膜层的折射率大于所述衬底的折射率。
4.如权利要求3所述的光波导制备方法，其特征在于，所述薄膜层为透明金属氧化物制成。
5.如权利要求1所述的光波导制备方法，其特征在于，所述衬底与所述待刻蚀基体为无机材料一体形成。
6.如权利要求5所述的光波导制备方法，其特征在于，所述衬底的折射率大于或等于1.7。
7.如权利要求5所述的光波导制备方法，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底。
8.如权利要求1所述的光波导制备方法，其特征在于，在执行于所述待刻蚀基体一侧涂覆光刻胶的步骤之后，所述光波导制备方法还包括：
预设所述纳米压印掩膜的形貌，并预留所述纳米压印掩膜的刻蚀公差余量。
9.如权利要求1所述的光波导制备方法，其特征在于，所述于所述待刻蚀基体一侧涂覆光刻胶的步骤中，涂覆所述光刻胶的厚度小于或等于所述目标光栅的厚度。
10.一种光波导，其特征在于，所述光波导由如权利要求1至9任一项所述的光波导制备方法制备得到。
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