[发明专利]三维存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种三维存储器，其特征在于，包括：

衬底，包括第一区域，以及所述第一区域外围的第二区域；

阵列结构，位于所述衬底的所述第一区域上方；

电容结构，位于所述第二区域中，且包括：

介质层，位于所述衬底的所述第二区域之上；

第一电极层，位于部分所述介质层上；

绝缘层，位于所述第一电极层上；

第一导电结构，垂直延伸于所述绝缘层，并与所述第一电极层相接触；

第二导电结构，垂直延伸于所述绝缘层与所述介质层，且位于所述第一电极层外围，并与所述衬底相接触。

2.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述介质层的厚度为

3.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述介质层为氧化物层，材料为氧化硅。

4.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，多个所述第二导电结构位于多个所述第一导电结构外围。

5.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述电容结构还包括：

位于所述第一电极层之上的至少一层ON堆叠层；以及

第三导电结构与第四导电结构，垂直延伸于所述绝缘层并与所述ON堆叠层相接触。

6.根据权利要求5所述的三维存储器，其特征在于，多个所述第三导电结构与多个所述第四导电结构交替间隔设置。

7.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述三维存储器还包括：

隔离结构，沿垂直方向穿过所述衬底，且位于所述第二导电结构外围,以隔离所述衬底中对应于所述电容结构的部位与其它部位。

8.根据权利要求1所述的三维存储器，其特征在于，所述第一电极层的材料包括多晶硅或钨。

9.一种三维存储器的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括第一区域，以及所述第一区域外围的第二区域；

在所述衬底上形成介质层；

在所述介质层上形成第一电极层；

去除对应于所述第一区域上方的所述第一电极层，保留至少部分对应于所述第二区域上方的所述第一电极层；

在所述介质层上形成阵列结构，且位于所述第一区域上方；

在所述第一电极层上形成绝缘层；

形成第一导电结构，垂直延伸于所述绝缘层，并与所述第一电极层相接触；

形成第二导电结构，垂直延伸于所述绝缘层与所述介质层，且位于所述第一电极层外围，并与所述衬底相接触，以形成电容结构。

10.根据权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述介质层的厚度为

11.根据权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述介质层为氧化物层，材料为氧化硅。

12.根据权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，多个所述第二导电结构形成于多个所述第一导电结构外围。

13.根据权利要求9所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，所述在所述介质层上形成阵列结构，且位于所述第一区域上方的步骤，还包括：

在所述第一电极层上形成至少一层ON堆叠层。

14.根据权利要求13所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，在形成多个所述第一导电结构与多个所述第二导电结构的同时，形成第三导电结构与第四导电结构，并垂直延伸于所述绝缘层并与所述ON堆叠层相接触。

15.根据权利要求14所述的三维存储器的制造方法，其特征在于，多个所述第三导电结构与多个所述第四导电结构交替间隔设置。