[发明专利]非对称三极管输入的折叠式运算放大器、带隙基准电路

权利要求书

1.一种非对称三极管输入的折叠式运算放大器，其特征在于：包括输入对管（1）、偏置电流源（2）和共源共栅输出负载（3），偏置电流源连接输入对管，输入对管折叠连接在共源共栅输出负载上。

2.根据权利要求1所述的非对称三极管输入的折叠式运算放大器，其特征是共源共栅输出负载（3）包括PMOS管M1、PMOS管M2、PMOS管M3、PMOS管M4、NMOS管M5、NMOS管M6、NMOS管M7、NMOS管M8，PMOS管M1源极和PMOS管M2源极相连接并连接至电源VDD，PMOS管M1漏极连接PMOS管M3源极，PMOS管M2漏极连接PMOS管M4漏极，PMOS管M1栅极与PMOS管M2栅极相连并连接在PMOS管M3漏极，PMOS管M3栅极与PMOS管M4栅极相连并连接第二偏置电压，PMOS管M3漏极连接NMOS管M5漏极，PMOS管M4漏极与NMOS管M6漏极相连并作为放大器的输出端，NMOS管M5栅极与NMOS管M6栅极相连并连接第二偏置电压，NMOS管M5源极连接NMOS管M7漏极，NMOS管M6源极连接NMOS管M8漏极，NMOS管M7栅极与NMOS管M8栅极相连并连接第一偏置电压，NMOS管M7源极和NMOS管M8源极分别接地。

3.根据权利要求2所述的非对称三极管输入的折叠式运算放大器，其特征是输入对管（1）包括三极管Q1和三极管Q2，三极管Q1包括一个NPN管，三极管Q2包括若干个并联NPN管，三极管Q1基极作为运算放大器的正输入端，三极管Q2基极作为运算放大器的负输入端，三极管Q1发射极和三极管Q2发射极相连后与偏置电流源连接，三极管Q1集电极连接到PMOS管M1漏极，三极管Q2集电极连接PMOS管M2漏极。

4.根据权利要求2所述的非对称三极管输入的折叠式运算放大器，其特征是输入对管（1）包括三极管Q1和三极管Q2，三极管Q1包括若干个并联PNP管，三极管Q2包括一个PNP管，三极管Q1基极作为运算放大器的正输入端，三极管Q2基极作为运算放大器的负输入端，三极管Q1发射极和三极管Q2发射极相连后与偏置电流源连接，三极管Q1集电极连接到NMOS管M7漏极，三极管Q2集电极连接到NMOS管M8漏极。

5.根据权利要求3所述的非对称三极管输入的折叠式运算放大器，其特征是偏置电流源（2）包括NMOS管M9，NMOS管M9栅极连接第一偏置电压，NMOS管M9源极接地，NMOS管M9漏极连接在三极管Q1发射极和三极管Q2发射极相连点上。

6.根据权利要求4所述的非对称三极管输入的折叠式运算放大器，其特征是偏置电流源（2）包括NMOS管M9，NMOS管M9栅极连接第一偏置电压，NMOS管M9源极连接电源VDD，NMOS管M9漏极连接在三极管Q1发射极和三极管Q2发射极相连点上。

7.一种非对称三极管输入的折叠式运算放大器带隙基准电路，采用权利要求1-6中的非对称三极管输入的折叠式运算放大器，其特征是包括三极管Q3、三极管Q4、电阻R1、电阻R2、PMOS管M10、PMOS管M11、PMOS管M12、PMOS管M13、PMOS管M14、PMOS管M15，三极管Q3包括一个PNP管，三极管Q4包括若干个并联PNP管，三极管Q3漏极和栅极分别接地，三极管Q4漏极和栅极分别接地，三极管Q4源极连接电阻R2一端，电阻R2另一端连接电阻R1一端，电阻R1另一端连接PMOS管M13漏极，非对称三极管输入的折叠式运算放大器正输入端连接在电阻R1和电阻R2连接点上，三极管Q3源极连接PMOS管M12漏极，非对称三极管输入的折叠式运算放大器负输入端连接在三极管Q3源极与PMOS管M12漏极连接点上，PMOS管M12栅极连接PMOS管M13栅极并连接第二偏置电压，PMOS管M12源极连接PMOS管M10漏极，PMOS管M13源极连接PMOS管M11漏极，PMOS管M10栅极与PMOS管M11栅极相连且连接至非对称三极管输入的折叠式运算放大器输电端上，PMOS管M14源极连接电源VDD，PMOS管M14漏极连接PMOS管M15源极，PMOS管M15漏极作为电流基准输出端，PMOS管M14栅极连接在PMOS管M10栅极与PMOS管M11栅极连接点上，PMOS管M15栅极连接在PMOS管M12栅极与PMOS管M13栅极连接点上。