[发明专利]一种小尺寸TFT及显示面板有效
| 申请号: | 202011079495.3 | 申请日: | 2020-10-10 |
| 公开(公告)号: | CN112259602B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
| 发明(设计)人: | 张伟彬 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L29/08 | 分类号: | H01L29/08;H01L29/786;H01L27/32;G02F1/1362 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 尺寸 tft 显示 面板 | ||
1.一种小尺寸TFT,其特征在于,包括:
源极;
漏极,所述漏极与所述源极层叠设置;
绝缘层,所述绝缘层设置于所述源极与所述漏极之间;
有源层,所述有源层包括依次相接的第一部、第二部、第三部、第四部以及第五部,所述第一部与所述第五部关于所述第三部对称,所述第二部与所述第四部关于所述第三部对称,所述第三部与所述第一部、所述第五部平行,所述第二部、所述第四部贯穿所述绝缘层,所述第三部与所述源极连接;以及
栅极,所述栅极与所述有源层相对应设置;
其中,所述漏极设置于所述第一部与所述第二部的交接处,且与所述第一部、所述第二部中的至少一个连接;或者,所述漏极设置于所述第四部与所述第五部的交接处,且与所述第四部、所述第五部中的至少一个连接。
2.如权利要求1所述的小尺寸TFT,其特征在于,所述小尺寸TFT包括沟道区、以及位于所述沟道区内且依次穿过所述漏极和所述绝缘层的沟道,所述有源层通过所述沟道分别与所述源极和所述漏极连接。
3.如权利要求2所述的小尺寸TFT,其特征在于,所述栅极在所述绝缘层上的正投影至少覆盖所述沟道在所述绝缘层上的正投影。
4.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括衬底、设置于所述衬底上的多个如权利要求1-3任一项所述的小尺寸TFT、以及设置于所述小尺寸TFT上的多个像素电极;每一所述小尺寸TFT均连接有一所述像素电极。
5.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括常规显示区、至少一与所述常规显示区相邻的功能区;
多个所述像素电极包括设置于所述常规显示区内的多个第一像素电极和设置于所述功能区内的多个第二像素电极;
多个所述小尺寸TFT包括与各所述第一像素电极相对应连接的多个第一小尺寸TFT、及与各所述第二像素电极相对应连接的多个第二小尺寸TFT;
所述第二小尺寸TFT设置于所述常规显示区内。
6.如权利要求5所述的显示面板,其特征在于,所述第二小尺寸TFT设置于所述常规显示区内靠近所述功能区的一侧。
7.如权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述功能区包括屏幕弯折区、屏下指纹区和屏下摄像区中的至少一种。
8.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括边框显示区,与所述边框显示区相邻的非边框显示区;
多个所述像素电极包括设置于所述边框显示区内的多个第三像素电极和设置于所述非边框显示区内的多个第四像素电极;
多个所述小尺寸TFT包括与各所述第三像素电极相对应连接的多个第三小尺寸TFT、及各与所述第四像素电极相对应连接的多个第四小尺寸TFT;
所述第三小尺寸TFT设置于非边框显示区内。
9.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述第三小尺寸TFT设置于所述非边框显示区内靠近所述边框显示区的一侧。
10.如权利要求8所述的显示面板,其特征在于,所述显示面板包括与各所述小尺寸TFT连接的外围驱动电路,所述外围驱动电路设置于所述边框显示区内。
11.如权利要求4所述的显示面板,其特征在于,所述像素电极与所述小尺寸TFT之间设有金属桥接层,所述像素电极与所述小尺寸TFT通过所述金属桥接层连接,所述金属桥接层与所述小尺寸TFT的栅极至少部分重叠。
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