[发明专利]一种可低温烧结的ZnO-Bi2

权利要求书

1.一类可低温烧结的高非线性ZnO-Bi₂O₃基低压压敏陶瓷材料，其特征是，

按照质量百分数，所述ZnO-Bi₂O₃基低压压敏陶瓷材料包括：

ZnO-Bi₂O₃基组分和x wt%B₂O₃组分，其中0 ＜ x ≤ 6；

并且，所述ZnO-Bi₂O₃基组分包括98 mol% ZnO、0.5 mol% Bi₂O₃ %、0.5 mol % TiO₂、0.5mol % Co₂O₃、0.5 mol % MnO₂。

2.根据权利要求1所述一类可低温烧结的高非线性ZnO-Bi₂O₃基低压压敏陶瓷材料，其特征是，碳酸锰（MnCO₃）替代MnO₂。

3.根据权利要求1所述一类可低温烧结的高非线性ZnO-Bi₂O₃基低压压敏陶瓷材料，其特征是，0 ＜ x ≤ 3。

4.权利要求1或2或3所述的超高非线性ZnO-Bi₂O₃基压敏陶瓷材料的制备方法，其特征是，步骤如下：

(1) 按权利要求1或2或3的化学的摩尔组成比称取ZnO、 Bi₂O₃、TiO₂、Co₂O₃和MnO₂原料；

(2) 按照步骤(1)所称取的原料总质量比称取B₂O₃，即B₂O₃的质量为步骤（1）原料总质量的x%；

(3) 以无水乙醇或去离子水为溶剂，将步骤(1)、(2)所称取的原料放入球磨罐中球磨；

(4) 球磨后，将浆料放入烘箱中烘干；

(5) 将烘干的原料加入聚乙烯醇（PVA）粘结剂，造粒，压制成型；

(6) 将压制成型的薄圆片放置在马弗炉中排塑；

(7) 将步骤(6)排塑的ZnO-Bi₂O₃基压敏材料放入马弗炉中，900℃烧结、保温2~5h得到所述陶瓷材料。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征是，步骤（3）球磨4~10个小时。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征是，步骤（4）干燥为放入烘箱中在60~100℃烘干。

7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征是，步骤（5）中所述聚乙烯醇（PVA）粘结剂的加入量为步骤（1）、（2）的原料总质量的3~8%。

8.根据权利要求4所述的制备方法，其特征是，步骤（6）的排塑是指将成型后的薄圆片在550℃保温1~3小时，排掉PVA粘结剂。

9.权利要求1或2或3所述的一类可低温烧结的高非线性ZnO-Bi₂O₃基低压压敏陶瓷材料制备的压敏元件。