[发明专利]像素结构

说明书

本发明提供的像素结构包括衬底、设置在衬底上方的源漏极层、设置在源漏极层上的第一平坦层、以及数据线，其中，数据线和源漏极层异面设置，且数据线所在膜层远离栅极层和源漏极层；通过将数据线设置在远离栅极层和源漏极层的异面膜层上，增大了数据线距离扫描线和栅极电位点之间的距离，降低扫描线信号和栅极电位点信号容易受到数据线信号的干扰程度。

技术领域

本发明涉及OLED显示技术领域，尤其涉及一种像素结构。

背景技术

在现有OLED显示面板的像素结构中，如图3所示，栅极电位点为控制驱动TFT栅极电位的一个点位，数据线与源漏极层同层设置，数据线信号对扫描线信号、以及栅极电位点信号有很强的干扰，因此，现有OLED显示面板存在数据线对扫描线和栅极电位点的信号干扰的技术问题。

发明内容

本发明实施例提供一种像素结构，可缓解现有像素结构中扫描线信号容易受到数据线信号干扰的技术问题。

本发明实施例提供一种像素结构，包括衬底、以及设置在所述衬底上方的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层、第一平坦层、以及数据线，其中，所述数据线与所述源漏极层异面设置，且所述数据线所在膜层远离所述栅极层和所述源漏极层。

在本发明实施例提供的像素结构中，所述像素结构还包括扫描线，所述扫描线与所述栅极层同层设置，栅极电位点与所述源漏极层同层设置，其中，所述数据线设置在所述第一平坦层上方。

在本发明实施例提供的像素结构中，电源金属走线包括对应设置的第一金属走线和第二金属走线，所述第一金属走线与所述源漏极层同层设置，所述第二金属走线设置在所述第一平坦层上，所述第二金属走线与所述第一金属走线通过过孔以并联的方式电连接。

在本发明实施例提供的像素结构中，所述数据线与所述第二金属走线同层设置，所述数据线上设置有第二平坦层。

在本发明实施例提供的像素结构中，所述数据线与所述第二金属走线绝缘设置。

在本发明实施例提供的像素结构中，所述第一平坦层的厚度大于所述第二平坦层的厚度。

在本发明实施例提供的像素结构中，所述第二平坦层厚度的范围为所述第一平坦层厚度的三分之一至二分之一。

在本发明实施例提供的像素结构中，所述第一平坦层上设置有阳极，所述数据线与所述阳极同层且绝缘设置。

在本发明实施例提供的像素结构中，所述第一平坦层上设置有阳极，所述阳极上方设置有阴极，所述数据线与所述阴极同层且绝缘设置。

在本发明实施例提供的像素结构中，所述数据线与所述扫描线/栅极电位点之间的连线与衬底的锐角夹角范围为15度至45度。

有益效果：本发明实施例提供的像素结构包括衬底、以及设置在所述衬底上方的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层、第一平坦层、以及数据线，其中，所述数据线与所述源漏极层异面设置，且所述数据线所在膜层远离所述栅极层和所述源漏极层；通过将数据线设置在远离所述栅极层和所述源漏极层的异面膜层上，增大了数据线距离扫描线和栅极电位点之间的距离，缓解了现有像素结构中扫描线信号和栅极电位点信号容易受到数据线信号干扰的技术问题。

附图说明

下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。

图1为本发明实施例提供的像素结构的俯视透视图；

图2为本发明实施例提供的像素结构的截面示意图；

图3为本发明实施例提供的像素结构的像素电路图。

具体实施方式