[发明专利]像素结构在审
| 申请号: | 202011072237.2 | 申请日: | 2020-10-09 |
| 公开(公告)号: | CN112259577A | 公开(公告)日: | 2021-01-22 |
| 发明(设计)人: | 周思思 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 官建红 |
| 地址: | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 像素 结构 | ||
1.一种像素结构,其特征在于,包括衬底、以及设置在所述衬底上方的缓冲层、有源层、栅绝缘层、栅极层、层间绝缘层、源漏极层、第一平坦层、以及数据线,其中,所述数据线与所述源漏极层异面设置,且所述数据线所在膜层远离所述栅极层和所述源漏极层。
2.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述像素结构还包括扫描线,所述扫描线与所述栅极层同层设置,栅极电位点与所述源漏极层同层设置,其中,所述第一平坦层设置在所述源漏极层上,所述数据线设置在所述第一平坦层上方。
3.如权利要求2所述的像素结构,其特征在于,电源金属走线包括对应设置的第一金属走线和第二金属走线,所述第一金属走线与所述源漏极层同层设置,所述第二金属走线设置在所述第一平坦层上,所述第二金属走线与所述第一金属走线通过过孔以并联的方式电连接。
4.如权利要求3所述的像素结构,其特征在于,所述数据线与所述第二金属走线同层设置,所述数据线上设置有第二平坦层。
5.如权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述数据线与所述第二金属走线绝缘设置。
6.如权利要求4所述的像素结构,其特征在于,所述第一平坦层的厚度大于所述第二平坦层的厚度。
7.如权利要求6所述的像素结构,其特征在于,所述第二平坦层厚度的范围为所述第一平坦层厚度的三分之一至二分之一。
8.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一平坦层上设置有阳极,所述数据线与所述阳极同层且绝缘设置。
9.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述第一平坦层上设置有阳极,所述阳极上方设置有阴极,所述数据线与所述阴极同层且绝缘设置。
10.如权利要求1所述的像素结构,其特征在于,所述数据线与所述扫描线/栅极电位点之间的连线与衬底的锐角夹角范围为15度至45度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





