[发明专利]一种基于磁梯度仪阵列的定位及其设计方法有效

专利信息
申请号: 202011067995.5 申请日: 2020-10-08
公开(公告)号: CN112294437B 公开(公告)日: 2021-09-14
发明(设计)人: 林生鑫;潘东华;靳崇渝;王矜婷;李立毅 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: A61B34/20 分类号: A61B34/20;A61B5/06;A61B1/04;G01C21/00;G01R33/022
代理公司: 哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211 代理人: 刘景祥
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 梯度 阵列 定位 及其 设计 方法
【权利要求书】:

1.一种基于磁梯度仪阵列的定位及其设计方法,其特征在于,利用定位盲区与物理量之间的映射关系,通过设计确定磁梯度仪阵列的拓扑结构,选择磁梯度仪阵列中最优的磁梯度仪来改变夹角以避开定位盲区;

磁梯度仪阵列中最优磁梯度仪的选择包括以下步骤:

S100、根据式(1)计算所有磁梯度仪位置处的磁梯度张量G,其中,N为磁梯度仪的数量:

B是磁感应强度,Bab表示B的a分量在b方向上的梯度;

S200、利用式(2)计算所有磁梯度仪位置处的

S300、根据定位盲区与夹角的映射关系得到可使定位误差最小的夹角

S400、利用编号j磁梯度仪的磁梯度张量计算位置向量磁矩向量

磁传感器阵列拓扑结构的设计具体包括以下步骤:

S010、对定位工况中的平均定位距离磁矩大小M、环境噪声标准差δ、磁传感器的分辨率S、磁传感器的噪声水平l进行评估;

S020、将定位工况中各种因素的评估结果代入全姿态磁定位模型中,并将全姿态磁定位模型的定位结果的平均值——全姿态误差期望εp作为定位精度的评价指标,εp越小,则定位精度越高;

S030、利用单个磁梯度仪进行磁定位得到的全姿态误差期望记为εp0,利用拓展正N边心形阵列结构进行磁定位的全姿态误差期望记为εp1,计算定位精度提升百分比ρ,

S040、以定位精度提升百分比ρ为优化指标设计拓展正N边心形阵列结构边数N、拓展层数m、阵列半径L0、半径比ki

S050、得到定位精度提升百分比ρ和磁梯度仪数量的对应关系,根据成本选择拓展正N边心形阵列结构的参数设计方案。

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